申請(qǐng)?zhí)枺?01420619939.1

       申請(qǐng)人：赤峰學(xué)院

       發(fā)明人：黃國鋒

       摘要： 一種生長寶石級(jí)金剛石單晶用雙層腔體裝置，屬于制造寶石級(jí)金剛石單晶裝備技術(shù)領(lǐng)域。該裝置內(nèi)有雙層生長空間，可降低寶石級(jí)金剛石大單晶合成成本。葉蠟石堵環(huán)一和二置于葉蠟石塊通孔內(nèi)上下端，導(dǎo)電堵頭一和二嵌入葉蠟石堵環(huán)一和二內(nèi)，銅片二和一設(shè)置在導(dǎo)電堵頭一和二上下端；全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)設(shè)置在銅片一下端，氯化鈉套管位于全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)下端，石墨管套設(shè)在氯化鈉套管內(nèi)，石墨片一和二分別設(shè)在全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)和石墨管下端，石墨片二上放置全穩(wěn)二氧化鋯晶床，全穩(wěn)二氧化鋯絕緣管套設(shè)在石墨管內(nèi)，全穩(wěn)二氧化鋯絕緣管內(nèi)放置合金觸媒二、石墨碳源二、氧化鋁晶床、合金觸媒一、石墨碳源一及氧化鋁壓片。本實(shí)用新型用于生長寶石級(jí)金剛石單晶。

       主權(quán)利要求：1.一種生長寶石級(jí)金剛石單晶用雙層腔體裝置，它包括葉蠟石塊（1）、葉蠟石堵環(huán)一（2）、導(dǎo)電堵頭一（3）、銅片一（4）、石墨柱（5）、全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)（6）、石墨片一（7）、氧化鋁壓片（8）、石墨碳源一（9）、合金觸媒一（10）、氧化鋁晶床（11）、石墨碳源二（12）、合金觸媒二（13）、全穩(wěn)二氧化鋯晶床（14）、石墨片二（15）、銅片二（16）、導(dǎo)電堵頭二（17）、葉臘石堵環(huán)二（18）、氯化鈉套管（19）、石墨管（20）及全穩(wěn)二氧化鋯絕緣管（21）；其特征是：所述的葉蠟石塊（1）中部設(shè)有貫通于葉蠟石塊（1）上下表面的通孔，所述的葉蠟石堵環(huán)一（2）置于葉蠟石塊（1）通孔內(nèi)的上端，所述的葉蠟石堵環(huán)二（18）置于葉蠟石塊（1）通孔內(nèi)的下端；所述的導(dǎo)電堵頭一（3）嵌入葉蠟石堵環(huán)一（2）環(huán)腔中，所述的導(dǎo)電堵頭二（17）嵌入葉蠟石堵環(huán)二（18）環(huán)腔中；所述的銅片一（4）設(shè)置在導(dǎo)電堵頭一（3）下端，且銅片一（4）上表面與導(dǎo)電堵頭一（3）下表面相接觸，所述的銅片二（16）設(shè)置在導(dǎo)電堵頭二（17）上端，且銅片二（16）下表面與導(dǎo)電堵頭二（17）上表面相接觸；所述的全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)（6）設(shè)置在銅片一（4）下端，所述的石墨柱（5）嵌入全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)（6）環(huán)腔中，石墨柱（5）及全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)（6）上表面與銅片一（4）下表面相接觸；所述的氯化鈉套管（19）套設(shè)在葉蠟石塊（1）的通孔內(nèi)，且位于全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)（6）下端，所述的石墨管（20）套設(shè)在氯化鈉套管（19）內(nèi)；所述的石墨片一（7）設(shè)置在全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)（6）下端，且石墨片一（7）上表面與石墨柱（5）和全穩(wěn)二氧化鋯堵環(huán)（6）下表面相接觸，石墨片一（7）下表面與石墨管（20）上端面相接觸；所述的石墨片二（15）設(shè)置在石墨管（20）的下端，且石墨片二（15）上表面與石墨管（20）下端面相接觸，石墨片二（15）下表面與銅片二（16）上表面相接觸；石墨片二（15）的上表面放置全穩(wěn)二氧化鋯晶床（14），所述的全穩(wěn)二氧化鋯絕緣管（21）套設(shè)在石墨管（20）內(nèi)，且全穩(wěn)二氧化鋯絕緣管（21）下端面與全穩(wěn)二氧化鋯晶床（14）上表面相接觸，全穩(wěn)二氧化鋯絕緣管（21）上端面與石墨片一（7）下表面相接觸；全穩(wěn)二氧化鋯絕緣管（21）內(nèi)由全穩(wěn)定二氧化鋯晶床（14）至石墨片一（7）之間依次放置合金觸媒二（13）、石墨碳源二（12）、氧化鋁晶床（11）、合金觸媒一（10）、石墨碳源一（9）及氧化鋁壓片（8）；所述的氧化鋁晶床（11）上表面沿軸向設(shè)置有多個(gè)凹腔一（11-1），全穩(wěn)定二氧化鋯晶床（14）上表面沿軸向設(shè)有多個(gè)凹腔二（14-1），所述的多個(gè)凹腔一（11-1）和多個(gè)凹腔二（14-1）用于鑲嵌工業(yè)金剛石單晶；所述的葉蠟石塊（1）的外形為正四棱柱形。

       2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長寶石級(jí)金剛石單晶用雙層腔體裝置，其特征是：設(shè)置在所述的氧化鋁晶床（11）上表面的多個(gè)凹腔一（11-1）的分布方式是：氧化鋁晶床（11）上表面中部設(shè)置一個(gè)凹腔一（11-1），余下的多個(gè)凹腔一（11-1）設(shè)置在氧化鋁晶床（11）上表面的不同圓周上，且位于氧化鋁晶床（11）上表面同一圓周上的多個(gè)凹腔一（11-1）均布設(shè)置；設(shè)置在所述的全穩(wěn)二氧化鋯晶床（14）上表面的多個(gè)凹腔二（14-1）的分布方式是：全穩(wěn)定二氧化鋯晶床（14）上表面中部設(shè)置一個(gè)凹腔二（14-1），余下的多個(gè)凹腔二（14-1）設(shè)置在全穩(wěn)定二氧化鋯晶床（14）上表面的不同圓周上，且位于全穩(wěn)定二氧化鋯晶床（14）上表面同一圓周上的多個(gè)凹腔二（14-2）均布設(shè)置。

       3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的生長寶石級(jí)金剛石單晶用雙層腔體裝置，其特征是：所述的凹腔一（11-1）和凹腔二（14-1）均為圓形凹腔，所述的圓形凹腔直徑為0.7mm。