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官方微信摘要 名稱硅襯底上適于鍵合技術的金剛石膜制備工藝公開號1272557公開日2000.11.08主分類號C23C16/27&
| 名稱 | 硅襯底上適于鍵合技術的金剛石膜制備工藝 | ||
| 公開號 | 1272557 | 公開日 | 2000.11.08 |
| 主分類號 | C23C16/27 | 分類號 | C23C16/27;C23C16/02;C23C16/511;C23C16/513 |
| 申請?zhí)?/strong> | 99127573.X | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1999.12.30 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | ||
| 申請人 | 吉林大學 | 地址 | 130012吉林省長春市朝陽區(qū)前衛(wèi)路10號 |
| 發(fā)明人 | 顧長志; 金曾孫 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 吉林大學專利事務所 | 代理人 | |
| 摘要 | 本發(fā)明的硅襯底上適于鍵合技術的金剛石膜的制備工藝，包括前處理—形成等離子體球—調(diào)整壓力—生長金剛石膜—后處理的過程。將硅片表面在金剛石納米粉溶液中磨研；之后在Ｈ#-[２]氣氛中啟動微波形成等離子體球；再按順序調(diào)整ＣＨ#-[４]與Ｈ#-[２]比例、微波功率、氣壓和溫度；最后在低氣壓下生長金剛石膜；后處理是在硅襯底上加負偏壓，保溫再緩慢降溫。經(jīng)上述過程制得的金剛石膜大面積均勻、品質(zhì)好、消除了內(nèi)應力，完全適合于硅片鍵合技術要求。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號