3月24日消息，國家知識產權局信息顯示，深圳優(yōu)普萊等離子體技術有限公司申請一項名為“一種平整多晶金剛石膜的制備方法、系統及終端”的專利，公開號 CN 119663439 A，申請日期為2025年1月。

       專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種平整多晶金剛石膜的制備方法、系統及終端，所述方法包括：獲取單晶硅襯底和納米金剛石懸浮液，并將所述納米金剛石懸浮液在所述單晶硅襯底上進行旋涂處理，得到均勻旋涂液薄膜；設置預設金剛石生長環(huán)境和具有預設散熱配比的目標鉬片并根據所述目標鉬片和所述預設金剛石生長環(huán)境對所述均勻旋涂液薄膜進行金剛石培育處理，得到初始多晶金剛石薄膜；對所述初始多晶金剛石薄膜進行再處理，得到目標多晶金剛石膜。本發(fā)明通過設置預設金剛石生長環(huán)境和具有預設散熱配比的目標鉬片，以此來實現對多晶金剛石薄膜內部應力分布的控制，后續(xù)經過再處理后，能夠得到大尺寸且翹曲度低的多晶金剛石膜。