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官方微信摘要 名稱納米引晶法選擇性生長金剛石膜的工藝公開號1235206公開日1999.11.17主分類號C23C16/26&nb
| 名稱 | 納米引晶法選擇性生長金剛石膜的工藝 | ||
| 公開號 | 1235206 | 公開日 | 1999.11.17 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26 |
| 申請?zhí)?/strong> | 99104646.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1999.05.08 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 吉林大學(xué) | 地址 | 130012吉林省長春市朝陽區(qū)前衛(wèi)路10號 |
| 發(fā)明人 | 劉洪武; 高春曉; 李迅; 王成新; 鄒廣田 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 吉林大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 王恩遠(yuǎn); 崔麗娟 |
| 摘要 | 本發(fā)明屬納米引晶法選擇性生長金剛石膜的工藝。包括清洗襯底、蒸鍍掩膜、涂膠、光刻、去膠、引晶、去掩膜和生長金剛石膜過程。襯底是硅、Si#-[3] N#-[4]或Mo，其表面蒸鍍SiO#-[2]或Mo作掩膜，經(jīng)光刻形成所需圖形。再在納米金剛石微粉的膠體溶液中引晶。去掩膜后用熱燈絲ＣＶＤ方法在有晶種的區(qū)域生長金剛石膜。本發(fā)明的工藝，選擇比高、金剛石膜生長速度快、圖形完整、對襯底無損傷、可在多種襯底上實現(xiàn)大面積均勻的選擇性生長，適于在微電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號