申請(qǐng)?zhí)枺?01580059054.8
       申請(qǐng)人：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社 住友電工硬質(zhì)合金株式會(huì)社
       發(fā)明人：西林良樹 植田曉彥 小林豐

       摘要： 一種單晶金剛石材料，具有對(duì)于波長(zhǎng)大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波長(zhǎng)的光的小于或等于15％的透過率，并且是根據(jù)光學(xué)評(píng)估的電絕緣體和根據(jù)電氣評(píng)估的電絕緣體中的至少任何一個(gè)。光學(xué)評(píng)估的準(zhǔn)則可以是波長(zhǎng)為10.6μm光的透過率大于或等于1％的。電氣評(píng)估的標(biāo)準(zhǔn)可以是平均電阻率大于或等于1×106Ωcm。因此，提供了在可見光區(qū)域的整個(gè)區(qū)域中具有低透過率且呈現(xiàn)黑色的單晶金剛石材料。

       主權(quán)利要求：1.一種單晶金剛石材料，對(duì)于波長(zhǎng)大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波長(zhǎng)的光，所述單晶金剛石材料的透過率小于或等于15％，所述單晶金剛石材料是根據(jù)光學(xué)評(píng)估的電絕緣體和根據(jù)電氣評(píng)估的電絕緣體中的至少任何一個(gè)。
       2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶金剛石材料，其中，所述光學(xué)評(píng)估的準(zhǔn)則是波長(zhǎng)為10.6μm的光的透過率大于或等于1％。
       3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單晶金剛石材料，其中，所述電氣評(píng)估的準(zhǔn)則是平均電阻率大于或等于1×106Ωcm。
       4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料，其中，對(duì)于波長(zhǎng)大于或等于410nm且小于或等于750nm的任何波長(zhǎng)的光，透過率小于或等于3％。
       5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的總氮濃度大于或等于孤立替位氮濃度的8倍。
       6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的非替位氮濃度大于或等于0.875ppm，所述非替位氮濃度是通過從總氮濃度減去孤立替位氮濃度來獲得的。
       7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的空位濃度高于孤立替位氮濃度、非替位氮濃度、總氮濃度和1ppm中的至少任一個(gè)。
       8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的選自由鎂、鋁、硅、磷和硫組成的組中的至少一種雜質(zhì)元素的總雜質(zhì)元素濃度大于或等于至50ppb。
       9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的選自由鎂、鋁、硅、磷和硫組成的組中的至少一種雜質(zhì)元素的總雜質(zhì)元素濃度大于或等于所述雜質(zhì)元素的總替位雜質(zhì)元素濃度的8倍。
       10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料，所述單晶金剛石材料的總硼濃度小于或等于總氮濃度。
       11.一種工具，包括根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料。
       12.一種輻射溫度監(jiān)測(cè)器，包括根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料。
       13.一種紅外光學(xué)組件，包括根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的單晶金剛石材料。