申請?zhí)枺?01710334592.4
       申請人：中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所
       發(fā)明人：李文君 周霖 程云 馮真 李春霞 單李軍 鄧德榮 黎明 楊興繁

       摘要： 本發(fā)明公開一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺，屬于晶體合成技術(shù)領(lǐng)域。該基片臺置于微波等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石膜裝置反應(yīng)腔體內(nèi)的水冷臺上，其結(jié)構(gòu)包含用于放置沉積基底的中心凹槽、環(huán)形外凸出部、環(huán)形內(nèi)凸出部、介于內(nèi)外凸出部之間的環(huán)形凹槽及位于外凸出部外側(cè)的外表面。該基片臺獨(dú)立于反應(yīng)腔體及水冷臺，用于放置沉積基底并在其上方形成均勻穩(wěn)定的電場及等離子體分布，提高所制備的金剛石膜的均勻性，同時能夠有效防止基片臺非沉積區(qū)域生成的雜質(zhì)濺射至沉積基底上污染金剛石膜。本發(fā)明具有設(shè)計(jì)制作簡單、能夠制備大面積金剛石膜、易于調(diào)節(jié)尺寸以適合制備不同尺寸及厚度的金剛石膜、制備的金剛石膜品質(zhì)高等優(yōu)點(diǎn)。        主權(quán)利要求：1.一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺，其特征在于包括用于放置沉積基底的中心凹槽、環(huán)形外凸出部、環(huán)形內(nèi)凸出部、介于內(nèi)外凸出部之間的環(huán)形凹槽及位于環(huán)形外凸出部外側(cè)的外表面。