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回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法

關鍵詞 回旋電子 , 氣相沉積 , 金剛石 , 薄膜|2010-12-21 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法公開號1355330公開日2002.06.26主分類號C23C1

 

名稱 回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法 
公開號 1355330  公開日 2002.06.26   
主分類號 C23C16/27  分類號 C23C16/27;C23C16/48 
申請?zhí)?/strong> 00132597.3 
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 2000.11.30 
頒證日   優(yōu)先權  
申請人 黑龍江省光電技術研究所  地址 157000黑龍江省牡丹江市光華街106-1號  
發(fā)明人 申家鏡;申輝;邵春雷;張傳勝;魏雪峰    國際申請  
國際公布   進入國家日期  
專利代理機構   代理人  
摘要   回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法,其特征是在生長襯底的下部設置能產(chǎn)生可使電子作螺旋曲線運動的環(huán)形磁場的線圈。本發(fā)明可增加金剛石膜的生長速度,提高金剛石膜的質量    
 

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