近年來，全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，尤其是圍繞寬帶隙和超寬帶隙半導體的技術創(chuàng)新，已經(jīng)成為各國科技戰(zhàn)略的關鍵焦點。此前我國對關鍵材料進行出口管制讓很多國家開始調整戰(zhàn)略。

       據(jù)Tom's hardware報道，由于中國在寬帶隙半導體材料—氮化鎵（GaN）供應方面的優(yōu)勢地位，近期又采取了出口管制措施，美國國防部高級研究計劃局（DARPA）已采取行動，委托雷神（Raytheon）公司開發(fā)基于人造金剛石和氮化鋁（AlN）的超寬帶隙半導體，以確保美國的軍事裝備生產(chǎn)。

       Raytheon的目標是引領這些材料發(fā)展到針對當前和下一代雷達和通信系統(tǒng)優(yōu)化的設備中，例如射頻開關、限幅器和功率放大器，以增強其功能和范圍。這包括在協(xié)同傳感、電子戰(zhàn)、定向能以及集成到高超音速等高速武器系統(tǒng)中的應用。

       人造金剛石憑借5.5eV的超寬帶隙，其高頻性能、高電子遷移率、極端熱管理能力和更高功率處理能力均超越了氮化鎵，成為潛在的理想替代材料。而氮化鋁的帶隙更是高達6.2eV，進一步提升了其在高功率、高頻應用中的優(yōu)勢。

       根據(jù)DARPA的合同要求，雷神公司的先進技術團隊將分階段推進這一項目。在第一階段，團隊將專注于開發(fā)基于金剛石和氮化鋁的半導體薄膜，為后續(xù)的應用打下堅實基礎。第二階段則將致力于研發(fā)和改進金剛石和氮化鋁技術，以支持更大直徑的晶圓生產(chǎn)，特別是針對傳感器應用的需求。這兩個階段的工作必須在三年內完成，凸顯了項目的緊迫性和重要性。

       Raytheon 先進技術總裁Colin Whelan說：“Raytheon 在為國防部系統(tǒng)開發(fā)類似材料（如砷化鎵和氮化鎵）方面擁有豐富的成熟經(jīng)驗。通過將這一開創(chuàng)性的歷史和我們在先進微電子方面的專業(yè)知識相結合，我們將努力使這些材料成熟起來，將再次徹底改變半導體技術，迎接未來的應用?！?/p>