集微網(wǎng)消息，近日有研究報告顯示，中國人造金剛石產(chǎn)量全球第一，未來金剛石需求旺盛，我國頭部CVD金剛石廠商將迎來發(fā)展新機遇。

　　金剛石是一種集眾多優(yōu)異特性于一身的特殊材料，廣泛應用于切削工具、防護涂層、光學窗口及聲學傳感器、半導體和電子器件等領域。天然金剛石的儲量少、價格昂貴，隨著金剛石使用量的增加，如何提高高品質金剛石材料產(chǎn)率是急需解決的問題。化學氣相淀積（CVD）法是目前合成大尺寸的單晶金剛石的主要方法。在眾多的CVD法中，MPCVD（微波等離子體化學氣相沉積）作為最適合單晶金剛石生長的方法，現(xiàn)有技術中采用MPCVD法合成CVD單晶金剛石的設備往往存在等離子體分布不均勻、水冷散熱基臺冷卻不均勻及晶種與樣品臺接觸有差異等問題，造成晶種生長狀態(tài)差異性大，從而導致單次生長的單晶金剛石品質不一。

　　為此，中南鉆石于2022年6月29日申請了一項名為“一種用于提高CVD單晶金剛石生長數(shù)量的單晶金剛石制造方法”的發(fā)明專利（申請?zhí)枺?02210747533.0），申請人為中南鉆石有限公司。

　　本專利提出的一種用于提高CVD單晶金剛石生長數(shù)量的單晶金剛石制造方法如下，主要包括晶種篩選、晶種的預處理和單晶片生長。

　　首先是晶種篩選，使用27片、尺寸約8mm× 8mm× 0 .3mm、表面拋光（至納米級粗糙度）的CVD單晶片作為晶種，要求表面無缺陷并棱邊質量較好。其次是晶種的預處理，將晶種依次置于丙酮和酒精中浸泡，共浸泡20min，然后在酒精中超聲清洗3min。

　　圖1 鉬樣品基臺示意圖

　　單晶片生長過程相對繁瑣，選擇棱邊質量完好、表面無可見缺陷的一面作為生長面，均勻擺放到鉬樣品基臺（如圖1所示）中，將晶種置于鉬樣品基臺的上下雙層之間，相鄰兩個晶種擺放間距約1mm，并置于MPCVD設備上。之后打開MPCVD設備，抽真空后同時通入H2、N2、Ar，在MPCVD設備中形成等離子球并與晶種接觸，促進晶種生長，并設置微波功率和氣壓。接著調整MPCVD設備上的EH調協(xié)器（EH調協(xié)器能夠通過調節(jié)微波阻抗匹配，在確保最大的傳輸功率進入到等離子源的同時，改變等離子團的形態(tài)），使等離子球呈偏橢球形，并保持溫度在700~800℃，保持1h。

　　圖2 處于生長狀態(tài)的單晶金剛石照片

　　之后增加微波功率和氣壓，此時由于微波功率和氣壓的升高，溫度逐漸上升，待溫度達到850~900℃時，通入CH4，同時再次調整微波功率和氣壓，保持溫度在1000~1050℃穩(wěn)定生長40h。單晶金剛石的生長狀態(tài)照片如圖2所示，從圖2中可以看出，生長過程中單晶片整體溫度場較均勻，生長狀態(tài)一致性較好。

　　生長過程中，間隔12h關閉CH4、N2，關閉期間利用H等離子體對生長表面、棱邊多晶和反應腔內壁進行等離子刻蝕?？涛g結束后重新通入CH4、N2恢復生長，刻蝕過程中調節(jié)微波功率和氣壓，保持溫度波動不超過30℃，采用間隔刻蝕的方式有利于凈化反應腔內部的生長環(huán)境，提高生長表面質量，對延長生長時間起到明顯促進作用。

　　圖3 生長結束后的單晶金剛石照片

　　圖4 生長結束后單晶金剛石在鉬樣品基臺上的照片

　　本專利通過控制等離子球與晶種接觸，并控制中心晶種與邊緣晶種之間的溫差，同時添加Ar提高等離子球的濃度，實現(xiàn)晶種單次生長數(shù)量的提高，所制得的結果如圖3、圖4所示，圖3為生長結束后得到的單晶金剛石照片，圖4為生長結束后單晶金剛石在鉬樣品基臺上的照片。從圖3中可以看出，除個別單晶顏色偏黃外，其余單晶顏色較好，而且結晶質量好，成品率較高。

　　簡而言之，中南鉆石的CVD金剛石專利，通過對生長過程加以控制，極大的提高了生產(chǎn)效率，解決了CVD單晶片單次生長數(shù)量少、效率低的問題，為單晶金剛石的工業(yè)化生產(chǎn)提供穩(wěn)定保障，具有較高的發(fā)展前景和經(jīng)濟價值。

　　中南鉆石作為世界最大的超硬材料科研、生產(chǎn)基地，其產(chǎn)品廣泛應用于傳統(tǒng)工業(yè)領域、消費領域及金剛石功能化應用領域，并出口到40多個國家和地區(qū)，產(chǎn)銷量和市場占有率雄居全球第一。隨著外界對金剛石需求的增加，中南鉆石一定會在全球范圍內再次取得輝煌成就。