單晶金剛石是一種性能優(yōu)異的晶體材料，在先進(jìn)科學(xué)領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。作為終極半導(dǎo)體，金剛石大單晶與器件應(yīng)用方向，近年來(lái)備受行業(yè)關(guān)注與研究，并取得突飛猛進(jìn)的發(fā)展。其中，在MPCVD單晶金剛石生長(zhǎng)中，如何提高晶體的生長(zhǎng)速率一直以來(lái)都是研究者們關(guān)注的重點(diǎn)問(wèn)題之一，而采用高能量密度的等離子體是提高單晶金剛石生長(zhǎng)速率的有效手段。

       近日，哈爾濱工業(yè)大學(xué)代兵教授、朱嘉琦教授團(tuán)隊(duì)在最新成果中，提出了一種利用等離子體聚集裝置實(shí)現(xiàn)高能量密度快速生長(zhǎng)的方法，并對(duì)等離子體相關(guān)性狀和生長(zhǎng)材料進(jìn)行了分析表征。該論文進(jìn)一步模擬和優(yōu)化了生長(zhǎng)工藝，顯著提升了金剛石生長(zhǎng)速率，引領(lǐng)了快速生長(zhǎng)金剛石單晶的發(fā)展方向。該成果以“等離子體聚集裝置下的高能量密度單晶金剛石快速生長(zhǎng)研究 ”為題，發(fā)表在《無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào)》上。博士生李一村為第一作者，代兵教授為通訊作者。

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