日前，日本佐賀大學教授嘉數(shù)教授與精密零部件制造商日本 Orbray 合作開發(fā)出了，用金剛石制成的功率半導體，并以 1 平方厘米 875 兆瓦（87.5 萬千瓦）的功率運行。該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值為全球最高。

       與作為新一代功率半導體的碳化硅 ( SiC ) 產(chǎn)品和氮化鎵 ( GaN ) 產(chǎn)品相比，金剛石半導體耐高電壓等性能更出色，電力損耗被認為可減少到硅制產(chǎn)品的五萬分之一，同時耐熱性和抗輻射性也很強，因而被稱為終極功率半導體 "。

       金剛石帶隙寬度高達 5.5eV，遠超氮化鎵、碳化硅等材料，載流子遷移率也是硅材料的 3 倍，在室溫下本征載流子濃度極低，且具備優(yōu)異的耐高溫屬性。金剛石在半導體領域的應用越來越廣泛，全球各國都在加緊金剛石在半導體領域的研制工作，其中日本已成功研發(fā)超高純 2 英寸金剛石晶圓量產(chǎn)方法，其存儲能力相當于 10 億張藍光光盤（約為 2500 萬 TB）。全球天然金剛石年產(chǎn)量約為 1.5 億克拉，而人造金剛石產(chǎn)量則超過 200 億克拉，其中 95% 產(chǎn)量來自于中國大陸。