我們?cè)谔蓟?a href='/news/search/key/%25E5%258D%258A%25E5%25AF%25BC%25E4%25BD%2593.html' target='_blank'>半導(dǎo)體材料的研制方面，有了非常重要突破，而就在近日，我們?cè)谔蓟杈慨a(chǎn)方面，也取得重大進(jìn)展，因?yàn)橐粋€(gè)相同的“碳”字，一個(gè)是晶片，一個(gè)是芯片，有些朋友弄混淆了，覺得上個(gè)月實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，這個(gè)月就量產(chǎn)了，是不是也太夸張了？

半導(dǎo)體

       其實(shí)，這是對(duì)碳基半導(dǎo)體與碳化硅晶片的誤解，兩者不是一樣的材料，而且有著很大的差別。這里科技風(fēng)景線小編就給大家分享一下，硅基半導(dǎo)體、碳基半導(dǎo)體以及碳化硅晶片的區(qū)別：
       碳基芯片是熱兵器，硅基芯片是冷兵器
       碳基半導(dǎo)體，就是碳納米管為材料的半導(dǎo)體，而我們現(xiàn)在所說的芯片是采用的硅晶體，用于制造芯片的話，可以簡(jiǎn)單的理解為，一個(gè)是用碳制造的芯片，一個(gè)是用硅制造的芯片，材料本質(zhì)上完全不同；

       和硅晶體管相比較，使用碳基半導(dǎo)體制造芯片，優(yōu)勢(shì)很大，在速度上，碳晶體管的理論極限運(yùn)行速度是硅晶體管的5-10倍，而功耗方面，卻只是后者的十分之一。

       這次，北大張志勇與彭練矛教授在高密度高純半導(dǎo)體陣列碳納米管材料的制備方式上獲得突破，意味著我們很有可能打破在硅晶體芯片上的落后局面，而直接進(jìn)入到碳納米管芯片領(lǐng)域，說句牛氣的話，兩者不在一個(gè)緯度，一個(gè)是熱兵器，一個(gè)是冷兵器，差距很明顯。

       國(guó)產(chǎn)碳基半導(dǎo)體研究躋身世界第一梯隊(duì)
       更為關(guān)鍵的一點(diǎn)是，現(xiàn)在西方國(guó)家，尤其是美國(guó)，在一切有關(guān)硅芯片制造的技術(shù)、設(shè)備、材料、公司、人才等等方面，所取得技術(shù)優(yōu)勢(shì)，都是建立在硅晶體芯片之上的。
       而一旦碳納米管材料進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用階段，所帶來的影響是超乎想象的，雖然還不至于說美國(guó)等西方國(guó)家、企業(yè)所建立起來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，將全部歸零，但是，最起碼對(duì)于我們來說，我們已經(jīng)躋身于碳基半導(dǎo)體領(lǐng)域的第一梯隊(duì)，具有了很大的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

       至于說，碳基半導(dǎo)體擁有如此大的優(yōu)勢(shì)，那為何西方國(guó)家沒有研制呢？這又是一個(gè)誤解，美國(guó)等西方國(guó)家，還有日韓等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)，不但研究了，而且時(shí)間很早，不過，基本上都是半途而廢，除了現(xiàn)在美國(guó)還在進(jìn)行， 其他國(guó)家基本上都因遇到技術(shù)難題的放棄了研制，包括英特爾這樣的巨頭，也放棄了。

       碳基半導(dǎo)體材料，是基礎(chǔ)科研中的基礎(chǔ)
       彭練矛教授研究團(tuán)隊(duì)則在碳基半導(dǎo)體的研制方面，已經(jīng)進(jìn)行了二十多年，二十年的堅(jiān)守與付出，才有了今天的成功，由此可見，碳基半導(dǎo)體材料的研制難度之大，超乎想象。
       所以，當(dāng)我們的科研團(tuán)隊(duì)獲得突破之后，國(guó)人是如此的激動(dòng)。這個(gè)也充分反映出來，在基礎(chǔ)科學(xué)、基礎(chǔ)材料的研究方面，真的非常耗費(fèi)時(shí)間，有的科研人員，可能耗費(fèi)了一輩子的精力，也沒有出多少成果，而正是張志勇教授、彭練矛教授等科研人員的堅(jiān)守與不懈努力，才有了今天的成就，可以說，做基礎(chǔ)科研的人，才是非常了不起的人！

碳化硅

       碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域不是芯片
       現(xiàn)在芯片使用高純度硅制造的，碳基半導(dǎo)體芯片是用碳制造的，而碳化硅則是屬于碳與硅的化合物，在屬性上區(qū)別很大。
       雖然碳化硅也是一種半導(dǎo)體材料，不過，SiC的主要應(yīng)用方向是在功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料領(lǐng)域。

       而在半導(dǎo)體應(yīng)用上，碳化硅的應(yīng)用主要在大功率、高溫、高頻和抗輻射的半導(dǎo)體器件上，以滿足高壓、高頻、高功率、高溫以及抗輻射等半導(dǎo)體器件的應(yīng)用需求。

碳化硅

       這次，中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底材料的工業(yè)生產(chǎn)，也突破了6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的研制，意味著打破了國(guó)外廠商對(duì)我國(guó)碳化硅晶體生產(chǎn)技術(shù)的長(zhǎng)期封鎖，將對(duì)碳化硅襯底的射頻器件以及電力電子器件領(lǐng)域帶來重要的推動(dòng)作用。

       結(jié)束語

       硅基半導(dǎo)體、碳基半導(dǎo)體以及碳化硅晶片都屬于基礎(chǔ)材料科學(xué)，在研究以及制備方面，都需要長(zhǎng)期的探索，尤其是在高純度制造方面，需要花費(fèi)大量的精力進(jìn)行研制，短期研究很難出現(xiàn)成就，所以說，很少有科研團(tuán)隊(duì)以及企業(yè)能夠堅(jiān)持下來。

       而一旦獲得成功，就會(huì)建立起來極高的技術(shù)壁壘，現(xiàn)在我們?cè)谔蓟雽?dǎo)體、碳化硅晶片的研制方面，都已經(jīng)獲得了突破，這也意味著這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)⒆屛覀儾辉偈苤朴谌耍@就是我們的科研人員讓我們所感動(dòng)的地方，為他們點(diǎn)贊，支持我們的科研人員，他們是我們民族的脊梁！歡迎關(guān)注科技風(fēng)景線，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展獻(xiàn)言獻(xiàn)策！