近日，應(yīng)用物理學(xué)報(bào)發(fā)表了一篇低溫生長(zhǎng)金剛石薄膜的新方法，這為未來(lái)電子設(shè)備新應(yīng)用又打開(kāi)了一扇新的大門(mén)。
        在工業(yè)和高技術(shù)設(shè)備應(yīng)用中，金剛石以其卓越的硬度、光學(xué)透明性、平滑性，以及對(duì)化學(xué)腐蝕、輻射和電場(chǎng)的阻抗性而備受關(guān)注。近年來(lái)，研究者將半導(dǎo)體硼介入到金剛石生產(chǎn)工藝中，通過(guò)鍍附從而使金剛石具有傳導(dǎo)性。過(guò)去，制備金剛石鍍附薄膜所需的高溫條件容易損壞非常敏感的電子器件，諸如生化傳感器，半導(dǎo)體和光子光學(xué)設(shè)備；而在電子器件中通過(guò)摻金剛石鍍層使得電子設(shè)備具備類金剛石特性則更是難上加難。

        來(lái)自美國(guó)伊利諾斯州Advanced Diamond Technologies公司的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)，近日研制出低溫（460-600℃）下生長(zhǎng)摻硼金剛石薄膜，并成功將其鍍附在許多電子設(shè)備上。

        盡管低溫沉積生長(zhǎng)摻硼金剛石薄膜的方法并不是最新的技術(shù)概念，但研究者們并未在現(xiàn)有技術(shù)和文獻(xiàn)中找到質(zhì)量上乘且商用生產(chǎn)效率高的方法。因此，他們通過(guò)降低溫度并調(diào)整甲烷和氫氣比例的方法，成功研制出了高質(zhì)量的金剛石薄膜；且薄膜的傳導(dǎo)性和平滑性等特性跟高溫下生長(zhǎng)出的薄膜相比，均未出現(xiàn)明顯變化。

        鑒于此，科學(xué)家們還想進(jìn)一步優(yōu)化該方法，期望能夠在低于400℃的低溫下沉積出摻硼金剛石薄膜。

      "沉積溫度越低，我們能夠應(yīng)用的電子設(shè)備就越多。"Hongjun Zeng 如是說(shuō)，"這將使得電子產(chǎn)品類型向超薄、光滑、傳導(dǎo)性好的金剛石鍍附方向發(fā)展。"

        該研究發(fā)表在應(yīng)用物理學(xué)報(bào)上，作者為 Hongjun Zeng，Prabhu U. Arumugam，Shabnam Siddiqui 和 John A. Carlisle。

         研究得到了Advanced Diamond Technologies公司和阿貢國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的支持。（編譯自Science Daily:'Low Temperature Boron Doped Diamond'  翻譯：王現(xiàn))