摘要:采用高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備了高定向的納米金剛石膜,研究了制備過(guò)程中促進(jìn)<100>高定向納米金剛石膜的生長(zhǎng)條件與生長(zhǎng)規(guī)律間的關(guān)聯(lián),并采用掃描電鏡、原子力顯微鏡、拉曼光譜和 X 射線衍射儀對(duì)在不同實(shí)驗(yàn)條件下選擇相同的氮?dú)夂脱鯕馓砑颖壤苽涞臉悠沸蚊?、光學(xué)性質(zhì)和晶向織構(gòu)進(jìn)行表征分析. 研究結(jié)果表明,<100>高定向納米金剛石膜的形成是各種生長(zhǎng)條件的綜合效應(yīng),相同的氮?dú)夂脱鯕馓砑硬⒎鞘瞧湫纬傻谋厝粭l件。
關(guān)鍵詞:納米金剛石;高定向;氮?dú)夂脱鯕馓砑?;微波等離子體化學(xué)氣相沉積
中圖分類(lèi)號(hào):0482.6 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1008-2794(2017)02-0011-05
1 引言
近年來(lái),對(duì)于尺寸小于100 nm的納米材料,因其晶粒小、表面積大、晶界多而表現(xiàn)出許多不同于與之相同的塊材料的新奇特性,而這些特性對(duì)一些特殊的應(yīng)用有著潛在的應(yīng)用前景,由此引起了人們廣泛的關(guān)注.納米金剛石膜[1-4]不僅仍然保留金剛石特有的高硬度、耐腐蝕、抗輻射等優(yōu)異性能,還因?yàn)槠浔砻婀饣途哂猩锛嫒菪远谖㈦姍C(jī)系統(tǒng)[3]和生物醫(yī)學(xué)[4]等新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,因而成為近年來(lái)新的研究熱點(diǎn). 很顯然對(duì)微電機(jī)系統(tǒng)和同步輻射等應(yīng)用領(lǐng)域而言,選擇具有高定向的納米和微米結(jié)構(gòu)材料[5]會(huì)比自由取向的納米材料更具優(yōu)勢(shì). 采用化學(xué)氣相沉積法制備<100>高定向的金剛石膜[6]曾是 20 世紀(jì)最后十年掀起的研究熱潮. 根據(jù)所謂的 alpha參數(shù),生長(zhǎng)<100>定向的納米金剛石膜曾被預(yù)測(cè)為不可能[7]。不同于常用的采用大量氬/氫氣和少量甲烷制備納米金剛石膜的化學(xué)氣相沉積方法[1],我們?cè)_(kāi)辟了采用在常規(guī)的制備多晶膜的大量氫氣/少量甲烷等離子體中同時(shí)添加更加少量的氮?dú)夂脱鯕鈦?lái)制備納米金剛石膜的新方法[8]。采用該方法,在其他生長(zhǎng)條件保持不變的情況下(比如功率、氣壓、氫氣和甲烷濃度(4%)和襯底溫度等),僅通過(guò)改變添加的少量氮?dú)夂脱鯕獾暮亢捅壤?,就可以獲得一系列具有不同表面形貌、光學(xué)性質(zhì)和晶向織構(gòu)的納米膜或多晶金剛石膜[9],總結(jié)歸納如表1所示。其中樣品的結(jié)晶質(zhì)量是通過(guò)拉曼光譜在 1332 cm-1處的金剛石峰的全幅度半高寬(FWHM)(單位 cm-1)來(lái)表征的. 從表 1可以看到,在高功率(不低于 3000 W)條件下,不僅能獲得高速率生長(zhǎng)的納米金剛石膜,而且還獲得了曾被預(yù)測(cè)不存在的{100}晶面<100>高定向的納米金剛石膜[10]. 從表 1 也可以看出,對(duì)比其他納米或多晶膜,<100>高定向的納米金剛石膜是僅在氮?dú)夂脱鯕馓砑恿肯嗟鹊臈l件下才獲得的. 要想理解<100>高定向的納米金剛石膜的生長(zhǎng)規(guī)律和特征,從晶體生長(zhǎng)的角度看,就需要弄清楚兩個(gè)基本問(wèn)題:第一,在什么條件下可以形成高定向的納米金剛石膜? 第二,為什么在這個(gè)條件下可以生長(zhǎng)高定向的納米金剛石膜,也就是其生長(zhǎng)機(jī)制是什么?
表1 通過(guò)改變氮?dú)夂脱鯕馓砑恿克苽涞南盗薪饎偸ぜ捌湮锢硖匦?/strong>
為了探索<100>高定向的納米金剛石膜的生長(zhǎng)規(guī)律,受前期實(shí)驗(yàn)結(jié)果的啟發(fā),同時(shí)也是對(duì)前期研究工作的繼承和發(fā)展,本工作嘗試采用相同的氮?dú)夂脱鯕馓砑颖壤淖兤浣^對(duì)含量,同時(shí)也稍微改變功率和襯底溫度等其他生長(zhǎng)條件來(lái)制備納米金剛石膜并進(jìn)行表征,以便考察化學(xué)氣相沉積納米金剛石膜,尤其是高定向的納米金剛石膜的生長(zhǎng)規(guī)律。
2 實(shí)驗(yàn)
本工作中的樣品與引言中所列舉的前期工作中的金剛石膜樣品一樣,均采用同一臺(tái) 5 kW 的 ASTexPDS-18 型微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備制備得到,以(100)定向的單晶硅片作為襯底. 為了增強(qiáng)金剛石的核化密度,在沉積前,先采用 0~0.5 μm 的金剛石粉末拋光預(yù)處理硅襯底. 沉積時(shí)硅片放在大小與之匹配的通水冷卻的鉬襯底臺(tái)上.在鉬支撐臺(tái)底部鑲嵌的熱偶溫度計(jì)用來(lái)測(cè)試和調(diào)控襯底溫度. 新制備的金剛石膜樣品為 NO7,其生長(zhǎng)參數(shù)為工作氣壓 105 Torr,甲烷在氫氣中的濃度保持在 4%,其他生長(zhǎng)參數(shù)如功率、氮?dú)夂脱鯕馓砑恿?、以及其他的相關(guān)參數(shù)詳見(jiàn)表2,同時(shí)表2也對(duì)樣品 NO4和 NO7的相關(guān)生長(zhǎng)參數(shù)進(jìn)行了對(duì)比。
表2 納米金剛石膜樣品的生長(zhǎng)條件及其與前期樣品生長(zhǎng)條件的比較
利用日立 S-4100型掃描電鏡(工作電壓為 25 kV)觀察金剛石樣品的表面形貌和膜厚,采用原子力顯微鏡表征金剛石膜的表面結(jié)構(gòu)和晶粒尺寸,金剛石樣品的光學(xué)性質(zhì)采用 Jobin Yvon T64000 型微拉曼光譜儀(光源為波長(zhǎng) 514.5 nm 的氬離子激光)進(jìn)行表征,金剛石膜的晶向結(jié)構(gòu)利用 X 射線衍射儀進(jìn)行測(cè)試。
3 結(jié)果和討論
為了觀察樣品的形貌,鑒定其材料性質(zhì)和光學(xué)特性,測(cè)試其晶粒大小和膜厚以及生長(zhǎng)速率等特性,采用掃描電鏡、拉曼光譜儀、原子力顯微鏡和 X 射線儀等表征手段對(duì)新制備的樣品 NO7 進(jìn)行了詳細(xì)表征,并與前期獲得的<100>高定向的納米金剛石膜NO4 進(jìn)行對(duì)比分析,結(jié)果見(jiàn)圖 1. 圖 1 給出了新樣品 NO7 和<100>高定向的納米金剛石膜NO4 生長(zhǎng)面的不同放大倍數(shù)的掃描電鏡形貌圖. 從圖 1(a)可以看出,<100>高定向的納米金剛石膜 NO4生長(zhǎng)面是有許多小晶粒組成的大團(tuán)簇構(gòu)成的,整個(gè)表面相對(duì)平整,進(jìn)一步放大這些團(tuán)簇,從圖 1(b)可以看出這些小晶粒尺寸確實(shí)是在 100 nm 以下,因此可以稱(chēng)為納米材料. 從圖 1(c)和圖 1(d)可以看出新制備的樣品 NO7也是有許多小晶粒聚集的團(tuán)簇構(gòu)成,只是一方面這些團(tuán)簇的尺寸相對(duì)較小,沒(méi)有<100>高定向的納米金剛石膜NO4 的團(tuán)簇大且平整,另一方面這些小晶粒自身的尺寸好像比<100>高定向的納米金剛石膜NO4 的小晶粒大一些,且看起來(lái)其尖銳的邊角和晶形更容易辨認(rèn),不過(guò)其晶粒大小仍然在100 nm范圍內(nèi),因此也同樣可明確其納米材料的本質(zhì)。
圖 1 化學(xué)氣相沉積法制備的納米金剛石膜表面不同放大倍數(shù)的掃描電鏡形貌圖(其中(a)、(b)是 NO4,(c)、(d)是 NO7)
圖 2 化學(xué)氣相沉積法制備的納米金剛石膜的生長(zhǎng)截面的掃描電鏡形貌圖(其中(a)是 NO4,(b)是 NO7)
圖2 給出了新制備的金剛石膜樣品 NO7 的掃描電鏡截面圖,并與<100>高定向的納米金剛石膜 NO4 作對(duì)比. 首先利用 SEM 的截面圖,也就是從襯底面開(kāi)始生長(zhǎng)的生長(zhǎng)界面到生長(zhǎng)面的縱截面可以測(cè)其膜厚,具體見(jiàn)表 2. 從圖 2(a)可以看出,<100>高定向的納米金剛石膜 NO4 具有明顯的垂直定向的微結(jié)構(gòu),而新制備的納米金剛石膜 NO7 其截面微結(jié)構(gòu)卻不同,只依稀可見(jiàn)向上生長(zhǎng)的微結(jié)構(gòu),見(jiàn)圖 2(b). 這一方面是膜厚度有很大差別,另一方面也表明膜的定向或者織構(gòu)是不同的. 接著利用測(cè)得的膜厚除以沉積時(shí)間還可以計(jì)算出其平均生長(zhǎng)速率,也列在表 2中便于對(duì)比. 從表 2可以看出,新制備的納米膜的生長(zhǎng)速率是 6.7 μm/h,這較之前利用0.5 sccm 的氮?dú)夂脱鯕馓砑又苽涞?100>高定向的納米金剛石膜的生長(zhǎng)速率 2.6 μm/h 相比提高了兩倍多. 這一方面歸功于功率的提高,使得各種反應(yīng)氣體的分解效率也得到提高,從而使得氣相中促進(jìn)金剛石生長(zhǎng)的生長(zhǎng)基團(tuán)甲基和氫原子等的絕對(duì)數(shù)量增加[11];另一方面也是由于氮?dú)夂脱鯕獾奶砑恿恳苍龃罅艘槐?,這對(duì)生長(zhǎng)速率的提高也有促進(jìn)作用,目前已有許多關(guān)于氮?dú)馓砑涌商岣呓饎偸どL(zhǎng)速率的相關(guān)報(bào)道[12]。
圖 3 化學(xué)氣相沉積法制備的<100>高定向的納米金剛石膜的生長(zhǎng)面的原子力顯微鏡形貌照片
圖3 給出了原子力顯微鏡拍攝的<100>高定向納米金剛石膜的生長(zhǎng)面形貌和晶粒大小。由圖可以看出其微小晶粒組成的團(tuán)簇形貌,其平均晶粒大小為 59 nm,再次驗(yàn)證其納米材料本質(zhì)。
從圖 1、圖 2 和圖 3 可以看出,盡管<100>高定向的納米金剛石膜厚度高達(dá) 76 μm,其生長(zhǎng)面的晶粒大小仍然在納米量級(jí),并未隨膜厚增加而增大。這一特征是不同于一般的多晶金剛石膜的柱狀生長(zhǎng)特征的,即由于三維島狀生長(zhǎng)機(jī)制,多晶金剛石膜的晶粒大小是隨膜厚增加而增大的[13],因此粗糙度也會(huì)隨膜厚增加而增大,這顯然對(duì)許多應(yīng)用是不利的. 因此 <100>高定向的納米金剛石膜因其晶粒小、表面粗糙度低和高定向而在許多應(yīng)用方面具有廣泛應(yīng)用前景。
圖4 化學(xué)氣相沉積法制備的納米金剛石膜(A:樣品 NO4,B:樣品 NO7)的拉曼光譜比較
圖4 對(duì)新制備的樣品 NO7 的微拉曼光譜并與前期獲得的<100>高定向的納米金剛石膜 NO4 的微拉曼光譜進(jìn)行了對(duì)比. 由圖 4 可以明顯看出兩個(gè)樣品的拉曼光譜很相似,都在 1332 cm-1處出現(xiàn)尖銳的金剛石的拉曼峰,表明其金剛石的本質(zhì);同時(shí)又都在 1500 cm-1處出現(xiàn)了很大的吸收包,這是來(lái)自膜中非金剛石相成分的,表明納米金剛石膜中含有大量的非金剛石相成分。
圖5 化學(xué)氣相沉積法制備的納米金剛石膜(a:樣品 NO4,b:樣品 NO7)的 X 射線衍射圖比較
因此從光學(xué)質(zhì)量角度講,納米金剛石膜的光學(xué)質(zhì)量也不如高質(zhì)量的多晶金剛石膜的[14]. 兩個(gè)樣品拉曼光譜的相似性表明在不同生長(zhǎng)條件下獲得的納米金剛石膜 NO7和 NO4的光學(xué)性質(zhì)相近.圖 5 給出了<100>高定向的樣品 NO4 和新制備的金剛石樣品NO7的 X 射線衍射圖. 從圖 5(a)可以看出<100>高定向的納米金剛石樣品 NO4 擁有極強(qiáng)的金剛石(400)衍射峰,而金剛石的其他衍射峰比如(111),(220)和(311)等幾乎不可見(jiàn). 從圖 5(b)可以看出新制備的 NO7 樣品出現(xiàn)了金剛石的(111),(220)和(311)3 個(gè)特征衍射峰,可是(400)衍射峰卻沒(méi)有出現(xiàn),而且很顯然(220)衍射峰遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于(111)和(311)衍射峰,這表明其具有 <110>定向而并非 <100>定向. 這個(gè)結(jié)果一方面證實(shí)了新制備的樣品 NO7 的晶體金剛石本質(zhì),另一方面也表明它是<110>定向的,而非<100>定向的。這說(shuō)明<100>高定向的納米金剛石膜的形成是各種生長(zhǎng)條件的綜合效應(yīng),等量的氮?dú)夂脱鯕馓砑硬⒎鞘瞧湫纬傻谋厝粭l件. 因此<100>高定向的納米金剛石膜的出現(xiàn)規(guī)律與生長(zhǎng)條件之間的關(guān)聯(lián)還有待更多的實(shí)驗(yàn)工作研究才能明確。
綜上所述,可以得出如下結(jié)論:首先,當(dāng)功率在3000~3500W范圍內(nèi),氮?dú)夂脱鯕馓砑恿吭?0.12%~0.24%范圍內(nèi)時(shí),仍然可以獲得高速率生長(zhǎng)的納米金剛石膜,也就是說(shuō),通過(guò)本實(shí)驗(yàn)工作制備納米金剛石膜的生長(zhǎng)參數(shù)范圍被大大拓展了;其次,等量的氮?dú)夂脱鯕馓砑硬⒎鞘侵苽?100>高定向納米金剛石膜的必需條件。
4 結(jié)論
本工作采用高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積法,通過(guò)少量且等同的氮?dú)夂脱鯕馓砑娱_(kāi)辟了新的制備納米金剛石膜的參數(shù)窗口. 功率在 3000~3500 W 范圍內(nèi),氮?dú)夂脱鯕馓砑恿繌?0.5 sccm 增加到 1.0 sccm ,也就是從 0.12%增加到 0.24%,不僅能夠制備出納米金剛石膜,而且其生長(zhǎng)速率也得到極大地提高,從 2.6 μm/h 增加到 6.7μm/h,不過(guò)后者的定向不是<100> 而是常見(jiàn)的<110>. 另外,研究結(jié)果表明,<100>高定向的納米金剛石膜的形成是各種生長(zhǎng)條件的綜合效應(yīng),等量的氮?dú)夂脱鯕馓砑硬⒎鞘?100>高定向形成的必然條件,還有待更多的實(shí)驗(yàn)工作來(lái)對(duì)<100>高定向的納米金剛石膜的生長(zhǎng)規(guī)律進(jìn)行探索。
參考文獻(xiàn):
[1]XIAO X C, ELAM J W, TRASOBARES S, et al. Synthesis of a Self-Assembled Hybrid of Ultrananocrystalline Diamond and Car?
bon Nanotubes[J]. Adv Mater, 2005, 17: 1496-1500.
[2]YE H, JACKMAN R B, HING P. Spectroscopic impedance study of nanocrystalline diamond films[J]. J Appl Phys, 2003, 94:
7878-7882.
[3]DIPALO M, KUSTERER J, JANISCHOWSKY K, et al. N-type doped nano-diamond in a first MEMS application[J]. Physica Sta?
tus Solidi(a), 2006, 203: 3036.
[4]CHUNG P-H, PEREVEDENTSEVA E, TU J-S, et al. Spectroscopic study of bio-functionalized nanodiamonds[J]. Diamond Relat
Mater, 2006, 15: 622-625.
[5]MEHEDI H-A, HEBERT C, RUFFINATTO S, et al. Formation of oriented nanostructures in diamond using metallic nanoparticles
[J]. Nanotechnology, 2012, 23: 455302.
[6]JIANG X, ZHANG W J, PAUL M, et al, Diamond film orientation by ion bombardment during deposition[J]. Appl Phys Lett,1996,
68: 1927-1929.
[7]WILD C, KOHL R, HERRES N, et al. Oriented CVD diamond films: twin formation, structure and morphology[J]. Diamond Relat
Mater, 1994, 3: 373-381.
[8]TANG C J, NEVES A J, GRACIO J, et al. A new chemical path for fabrication of nanocrystalline diamond films[J]. J Cryst Growth,
2008, 310: 261-265.
[9]TANG C J, NEVES A J, PEREIRA S, et al. Effect of nitrogen and oxygen addition on morphology and texture of diamond films
(from polycrystalline to nanocrystalline) [J]. Diamond Related Mater, 2008, 17: 72-78.
[10]TANG C J, PEREIRA S M S, FERNANDES A J S, et al. Synthesis and structural characterization of highly <100> oriented
{100}-faceted nanocrystalline diamond fi lms by microwave plasma chemical vapor deposition[J]. J Cryst Growth, 2009, 311:
2258-2264.
[11]LOMBARDI G, HASSOUNI K, STANCU G D, et al. Modeling of microwave discharges of H2 admixed with CH4 for diamond depo?
sition[J]. J Appl Phys, 2005, 98: 053303.
[12]Yiming Z, Larsson F, Larrson K. Effect of CVD diamond growth by doping with nitrogen[J]. Theor Chem Acc, 2014, 133: 1432.
[13]TANG C J, FERNANDES A J S, GIRAO A V, et al. Role of high microwave power on growth and microstructure of thick nanocrys?
talline diamond films: A comparison with large grain polycrystalline diamond films[J]. J Cryst Growth, 2014, 389: 83-91.
[14]TANG C J, NEVES A J, CARMO M C. Characterization of chemical vapour deposited diamond films: correlation between hydro?
gen incorporation and film morphology and quality[J]. J Phys: Condens Matter, 2005, 17: 1687-1695.