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官方微信摘要 摘要：碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料，廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。由脆性特質(zhì)引起的較差的斷裂韌性是碳化硅的一個(gè)技術(shù)制約。近年來，有研究人員研發(fā)制備出納米...
摘要：
碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料，廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。由脆性特質(zhì)引起的較差的斷裂韌性是碳化硅的一個(gè)技術(shù)制約。近年來，有研究人員研發(fā)制備出納米金剛石（ND）顆粒增強(qiáng)型碳化硅材料，既改善了斷裂韌性又不影響材料本身的強(qiáng)度。本論文利用分子動(dòng)力學(xué)模擬對(duì)新型碳化硅131材料中納米金剛石和納米硅顆粒的補(bǔ)強(qiáng)效果進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)選取兩種類型的納米顆粒：（a）裂縫尖端前面成簇的顆粒；（b）分布一致的顆粒。對(duì)模型I和模型II的斷裂韌性進(jìn)行測(cè)量。實(shí)驗(yàn)觀察得知，碳化硅中添加納米金剛石能100%程度地改善模型II斷裂韌性，25%程度地改善模型I的斷裂韌性。
引言
碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料，廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。但和多數(shù)陶瓷材料類似，碳化硅有~9GPa的高抗屈強(qiáng)度、~2800kg/mm2的高硬度和~4.6MPa.m0.5的低韌性。牢固的共價(jià)鍵和離子鍵所形成的微結(jié)構(gòu)造成了碳化硅的這種特殊屬性；而較低的韌性則大大制約了碳化硅在諸多領(lǐng)域的應(yīng)用。一般情況下，韌性屬性包括強(qiáng)度和變形性。強(qiáng)度高變形性低的材料整體上都有較低的韌性。增強(qiáng)材料韌性一般有兩種方法：利用外部機(jī)制和利用內(nèi)部機(jī)制。對(duì)于陶瓷材料的增韌則主要是利用外部機(jī)理；常見方法有：（1）延性定相。通過大規(guī)模延性相變形在斷裂尖端周圍應(yīng)變松弛，或者在斷裂尖端背面利用延性相伸展來進(jìn)行裂紋鈍化、裂紋搭橋，從而抵制裂紋發(fā)生和擴(kuò)散。（2）?；?。在晶粒間界處增韌以減少裂紋密度。（3）通過多層化來增強(qiáng)薄膜和襯底間的粘合。（4）納米纖維增強(qiáng)。在纖維-基體界面處使裂紋發(fā)生偏離。（5）金剛石燒結(jié)等對(duì)裂紋進(jìn)行搭橋。
結(jié)構(gòu)的分子建模
圖一（a）為碳化硅分子模型。
碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料，廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。由脆性特質(zhì)引起的較差的斷裂韌性是碳化硅的一個(gè)技術(shù)制約。近年來，有研究人員研發(fā)制備出納米金剛石（ND）顆粒增強(qiáng)型碳化硅材料，既改善了斷裂韌性又不影響材料本身的強(qiáng)度。本論文利用分子動(dòng)力學(xué)模擬對(duì)新型碳化硅131材料中納米金剛石和納米硅顆粒的補(bǔ)強(qiáng)效果進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)選取兩種類型的納米顆粒：（a）裂縫尖端前面成簇的顆粒；（b）分布一致的顆粒。對(duì)模型I和模型II的斷裂韌性進(jìn)行測(cè)量。實(shí)驗(yàn)觀察得知，碳化硅中添加納米金剛石能100%程度地改善模型II斷裂韌性，25%程度地改善模型I的斷裂韌性。
引言
碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料，廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。但和多數(shù)陶瓷材料類似，碳化硅有~9GPa的高抗屈強(qiáng)度、~2800kg/mm2的高硬度和~4.6MPa.m0.5的低韌性。牢固的共價(jià)鍵和離子鍵所形成的微結(jié)構(gòu)造成了碳化硅的這種特殊屬性；而較低的韌性則大大制約了碳化硅在諸多領(lǐng)域的應(yīng)用。一般情況下，韌性屬性包括強(qiáng)度和變形性。強(qiáng)度高變形性低的材料整體上都有較低的韌性。增強(qiáng)材料韌性一般有兩種方法：利用外部機(jī)制和利用內(nèi)部機(jī)制。對(duì)于陶瓷材料的增韌則主要是利用外部機(jī)理；常見方法有：（1）延性定相。通過大規(guī)模延性相變形在斷裂尖端周圍應(yīng)變松弛，或者在斷裂尖端背面利用延性相伸展來進(jìn)行裂紋鈍化、裂紋搭橋，從而抵制裂紋發(fā)生和擴(kuò)散。（2）?；?。在晶粒間界處增韌以減少裂紋密度。（3）通過多層化來增強(qiáng)薄膜和襯底間的粘合。（4）納米纖維增強(qiáng)。在纖維-基體界面處使裂紋發(fā)生偏離。（5）金剛石燒結(jié)等對(duì)裂紋進(jìn)行搭橋。
結(jié)構(gòu)的分子建模
圖一（a）為碳化硅分子模型。
圖一：a）純碳化硅結(jié)構(gòu)（藍(lán)色為硅；紅色為碳）；b）純納米金剛石結(jié)構(gòu)
純碳化硅模型包括68832個(gè)院子。在 WNC模型中將原子從晶體中移除便得到一個(gè)中心裂紋長(zhǎng)度a=2.62nm，以類似此方法建立若干個(gè)納米復(fù)合材料模型。模型1中，碳化硅基體摻入8個(gè)固態(tài)納米金剛石顆粒。模型2中，碳化硅基體摻入兩個(gè)簇叢納米金剛石顆粒，每個(gè)簇叢包含4個(gè)納米金剛石顆粒。模型3中，用洞孔納米金剛石顆粒替代固態(tài)納米金剛石顆粒。模型4中，ND顆粒建模為不可變形的顆粒。此外，還建立了一個(gè)模型，用硅顆粒替代ND顆粒。每個(gè)顆粒的形狀假定為方形，ND顆粒邊長(zhǎng)為0.357nm，碳化硅顆粒邊長(zhǎng)為0.43597nm。所有模型的原子間交互作用建立在Tersoff potential基礎(chǔ)上。
圖二：a）有裂縫的純碳化硅；b）ND增強(qiáng)型碳化硅切片圖；c）洞孔ND增強(qiáng)型碳化硅切片圖；d）ND分散一致的增強(qiáng)型碳化硅切片圖
形變的分子模擬利用Daresbury 實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的2.20版DL-POLY進(jìn)行所有的模擬實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)條件為300k，0.5fs時(shí)間步長(zhǎng)。實(shí)驗(yàn)分兩步驟對(duì)機(jī)械性能進(jìn)行觀察。第一步對(duì)原子模型進(jìn)行平衡，第二步對(duì)模型進(jìn)行漸進(jìn)軸向機(jī)械裝載。
平衡狀態(tài)
將NPT和NVT整體結(jié)合，進(jìn)行平衡狀態(tài)實(shí)驗(yàn)。首先將模型在NPT條件下運(yùn)行模型，時(shí)間步長(zhǎng)為30000；然后在NVT條件下對(duì)模型進(jìn)行機(jī)械裝載。
應(yīng)力應(yīng)變曲線
利用應(yīng)力應(yīng)變曲線進(jìn)行抗拉實(shí)驗(yàn)和抗剪實(shí)驗(yàn)。對(duì)所有模型施以應(yīng)變場(chǎng)，進(jìn)行軸向拉伸實(shí)驗(yàn)。
沿著形變的方向?qū)D單元的大小進(jìn)行測(cè)量并施以應(yīng)變，然后對(duì)原子的新坐標(biāo)重新測(cè)量以便匹配新的大小。完成初始形變以后，繼續(xù)對(duì)MD進(jìn)行模擬，在新的MD單元大小范圍內(nèi)對(duì)原子進(jìn)行平衡。重復(fù)該步驟以實(shí)現(xiàn)持續(xù)漸進(jìn)形變。軸向拉伸方向上的應(yīng)變?cè)隽繛?.25%。然后，將系統(tǒng)松弛0.1ps，將系統(tǒng)上的應(yīng)力調(diào)和至大于0.1ps。實(shí)驗(yàn)采用周期邊界條件。
結(jié)果和討論
圖三：嵌入純ND顆粒的應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖四：（a）帶裂縫的純碳化硅；b)帶裂縫的ND增強(qiáng)型碳化硅
為觀察ND顆粒形變性對(duì)整體應(yīng)力應(yīng)變反應(yīng)的影響，實(shí)驗(yàn)建立了一個(gè)ND為不可形變的模擬。曲線如圖五所示。圖六為對(duì)應(yīng)的MD。可以明顯看出不可形變的ND顆粒明顯降低了整體強(qiáng)度和韌性。由于ND顆粒是不可形變的，當(dāng)裂縫產(chǎn)生并影響ND-SiC界面時(shí)，不存在能量損失。圖五可以看出在10%應(yīng)變處應(yīng)力應(yīng)變發(fā)生了彎曲。
圖五：嵌入純ND顆粒的應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖六：帶裂縫的ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
圖七：嵌入洞孔ND顆粒的應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖八：帶裂縫的ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
為完善對(duì)納米顆粒增強(qiáng)效果的評(píng)估，實(shí)驗(yàn)還進(jìn)行了不可變形的洞空ND研究，曲線如圖九所示。圖十為對(duì)應(yīng)的MD。圖九可以看出，當(dāng)不可變形洞空ND嵌入時(shí)，整體應(yīng)力應(yīng)變性能下降。使用硬質(zhì)ND時(shí)，圖十顯示類似趨勢(shì)。這說明和硬質(zhì)ND增強(qiáng)系統(tǒng)相比，不可變形洞空ND的變形機(jī)理是一樣的。由此可以推斷超硬增強(qiáng)納米顆粒不會(huì)增強(qiáng)其機(jī)械性能。圖八：帶裂縫的ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
圖九：嵌入洞空ND的應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖十：帶裂縫的硬質(zhì)ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
為研究納米顆粒屬性對(duì)SiC基體的影響，實(shí)驗(yàn)用同樣尺寸的Si替代ND。需要注意的是Si沒有SiC更硬，因此把它放入裂縫中。曲線如圖11所示。由圖可以看出摻入Si增強(qiáng)體后并沒有改善整體應(yīng)力應(yīng)變性能。
圖十：帶裂縫的硬質(zhì)ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
圖11：摻入純Si的應(yīng)力應(yīng)變曲線
模型II裂縫從抗拉實(shí)驗(yàn)可以看出SiC的強(qiáng)度和韌性只有在ND顆粒不是超硬屬性的情況下才能得到改善。為驗(yàn)證該假設(shè)，研究對(duì)所有實(shí)驗(yàn)進(jìn)行抗剪實(shí)驗(yàn)，結(jié)果顯示增強(qiáng)ND改善了SiC的韌性。圖12為抗剪實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖13為對(duì)應(yīng)的MD。由于錯(cuò)位成核，剪切負(fù)載過程中發(fā)生顯著的塑性變形。
圖12：剪切負(fù)載的應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖13：（a）ND-SiC復(fù)合材料和（b）純SiC的剪切試驗(yàn)失敗品
（編譯：中國(guó)超硬材料網(wǎng)） 圖13：（a）ND-SiC復(fù)合材料和（b）純SiC的剪切試驗(yàn)失敗品
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