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金剛石散熱片的生成方法及在微波射頻領(lǐng)域的應(yīng)用(一)

關(guān)鍵詞 金剛石 , 散熱片 , 微波射頻|2014-09-30 10:06:04|技術(shù)信息|來源 微波射頻網(wǎng)
摘要 50多年來,采用高壓高溫技術(shù)(HPHT)制造的合成金剛石廣泛應(yīng)用于研磨應(yīng)用,充分發(fā)揮了金剛石極高硬度和極強(qiáng)耐磨性的特性。在過去20年中,基于化學(xué)氣相沉積(CVD)的新金剛石生成方法...

50 多年來,采用高壓高溫技術(shù)(HPHT) 制造的合成金剛石廣泛應(yīng)用于研磨應(yīng)用,充分發(fā)揮了金剛石極高硬度和極強(qiáng)耐磨性的特性。在過去20年中,基于化學(xué)氣相沉積(CVD) 的新金剛石生成方法已投入商業(yè)化應(yīng)用,這樣就使得以較低成本生成單晶和多晶金剛石。這些新合成方法支持全面開發(fā)利用金剛石的光學(xué)、熱學(xué)、電化、化學(xué)以及電子屬性。


  目前金剛石已廣泛應(yīng)用于光學(xué)和半導(dǎo)體行業(yè)。本文主要討論金剛石的熱學(xué)優(yōu)勢,介紹金剛石散熱片的工作原理,簡要展示金剛石生成方法,總結(jié)金剛石的一些常見應(yīng)用(包括應(yīng)用方法)并以金剛石未來應(yīng)用前景作為結(jié)論。首先我們來簡單介紹金剛石成為室溫下所有固體材料中最佳導(dǎo)熱體的原因及原理。


  金剛石導(dǎo)熱原理


  金剛石是立方晶體,由碳原子通過共價鍵結(jié)合形成。金剛石的許多極致屬性都是形成剛性結(jié)構(gòu)的sp? 共價鍵強(qiáng)度和少量碳原子作用下的直接結(jié)果。


  金屬通過自由電子傳導(dǎo)熱量,其高熱傳導(dǎo)性與高導(dǎo)電性相關(guān)聯(lián),相比之下,金剛石中的熱量傳導(dǎo)僅由晶格振動(即聲子)完成。金剛石原子之間極強(qiáng)的共價鍵使剛性晶格具有高振動頻率,因此其德拜特征溫度高達(dá)2,220°K.由于大部分應(yīng)用遠(yuǎn)低于德拜溫度,聲子散射較小,因此以聲子為媒介的熱傳導(dǎo)阻力極小。但任何晶格缺陷都會產(chǎn)生聲子散射,從而降低熱傳導(dǎo)性,這是所有晶體材料的固有特征。金剛石中的缺陷通常包括較重的??C同位素、氮雜質(zhì)和空缺等點(diǎn)缺陷,堆垛層錯和位錯等擴(kuò)展缺陷以及晶界等2D缺陷。


  作為專門進(jìn)行熱管理的元件,天然金剛石應(yīng)用在一些早期微波和激光二極管器件中[1]、[2].但適用天然金剛石板的可用性、尺寸及成本限制了金剛石的市場應(yīng)用。隨著熱學(xué)屬性與IIa型天然金剛石(圖1)相類似的微波輔助型CVD 多晶金剛石的出現(xiàn),可用性問題得到了解決。目前,許多供應(yīng)商提供一系列現(xiàn)成的熱學(xué)等級的金剛石。由于獨(dú)立式多晶金剛石采用直徑達(dá)140 mm 的大型晶片(圖1)生成,因此尺寸不再局限為單個器件或小型陣列,陣列尺寸可擴(kuò)展至幾厘米?;谝陨显?,CVD 金剛石的實(shí)用性得到驗(yàn)證,自20世紀(jì)90年代以來已被廣泛應(yīng)用于各種器件之中。


  圖2. 通過IIa 型天然金剛石激光閃光法所測的層面間熱導(dǎo)率與溫度對比[3]


  如圖2 所示,TM200(TM 表示熱,200 表示熱導(dǎo)率>2,000 Wm??K??)室溫下熱導(dǎo)率為2,200 Wm??K??,超過銅熱導(dǎo)率5 倍(參見表1)。元素六提供一系列產(chǎn)品,因此可根據(jù)技術(shù)要求和預(yù)算訂制熱傳導(dǎo)能力及成本。由于室溫下熱導(dǎo)率>1,000 Wm?? K??,TM100超過氮化鋁等陶瓷材料4到6 倍。


  高級產(chǎn)品在低于室溫條件下的熱性能更具優(yōu)勢,溫度低至100°K時熱導(dǎo)率顯著提高。圖2中TM180 和TM200 等級顯示的性能與溫度變化趨勢與IIa 型天然金剛石類似。


  我們采用表征技術(shù)對不同等級的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)分析。在研究范圍內(nèi),TM100的傳導(dǎo)能力對溫度敏感度較低。CVD 金剛石中的晶粒尺寸隨著厚度的增加而增加,對傳導(dǎo)能力有明顯的影響。對于同等晶粒大小的CVD 金剛石,TM100 和TM180 中的點(diǎn)缺陷密度相似,但TM100 中的錯位密度比TM180 高三個數(shù)量級。此差異在聲子散射中起主要作用,同時對傳導(dǎo)能力存在顯著影響。TM180 和TM200 中測得的錯位密度相似,但較低溫度下傳導(dǎo)能力的微小差異可由晶粒大小以及TM200 中點(diǎn)缺陷密度比TM180 低5 倍進(jìn)行解釋。本文以下段落將探討其它生成技術(shù),

  表1. 綠色= 顯著優(yōu)勢,黃色= 中等優(yōu)勢,紅色= 負(fù)面影響


  半導(dǎo)體市場中電源轉(zhuǎn)換器或固態(tài)射頻功率放大器等領(lǐng)域的功率密度不斷提升,使局部熱管理負(fù)擔(dān)越來越重。CVD金剛石同時具有高熱傳導(dǎo)性及電氣絕緣等極致屬性,是解決上述問題的理想選擇。我們的測量結(jié)果表明,微波輔助型CVD 金剛石層面內(nèi)與層面間傳導(dǎo)能力之比低于10%,與測量不確定度相差無幾。各向同性熱屬性和電氣絕緣是許多熱學(xué)應(yīng)用中散熱片的重要屬性。這與高取向性熱解石墨等材料形成鮮明對比,后者具有導(dǎo)電性并且熱傳導(dǎo)性為各向異性,如表2所示。


  表2. 不同CVD 技術(shù)合成的多晶金剛石熱屬性比較。


 

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