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官方微信摘要 名稱金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法公開號1274020公開日2000.11.22主分類號C23C16/513&nb
| 名稱 | 金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法 | ||
| 公開號 | 1274020 | 公開日 | 2000.11.22 |
| 主分類號 | C23C16/513 | 分類號 | C23C16/513 |
| 申請?zhí)?/strong> | 00107439.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2000.05.15 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 北京工業(yè)大學(xué) | 地址 | 100022北京市朝陽區(qū)平樂園100號 |
| 發(fā)明人 | 陳光華; 張陽 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 北京工業(yè)大學(xué)專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 張慧 |
| 摘要 | 一種金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法屬于場致電子發(fā)射技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)，包括金屬襯底和金剛石晶粒，其特征為采用金屬Cu 作襯底且在金屬襯底上若干個熔融的小孔內(nèi)生長出金剛石晶粒。其制備方法包括用微波等離子體清洗Cu，使Cu熔融形成小孔，然后采用常規(guī)方法使金剛石晶粒在所限定的小孔內(nèi)成核、生長。用該方法制備出的單晶金剛石薄膜冷陰極結(jié)構(gòu)，具有閾值電壓低、場發(fā)射電流密度大且制備溫度低的特點。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號