同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法
關鍵詞 同位素 , 外延 , 金剛石薄膜 , 制備 |2010-12-09 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法公開號1057869公開日1992.01.15主分類號C30B25/02&
名稱 |
同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法 |
公開號 |
1057869 |
公開日 |
1992.01.15 |
主分類號 |
C30B25/02 |
分類號 |
C30B25/02;C30B25/20;C30B29/04 |
申請?zhí)?/strong> |
91104585.6 |
分案原申請?zhí)?/strong> |
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申請日 |
1991.07.02 |
頒證日 |
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優(yōu)先權 |
[32]1990.7.2[33]US[31]547,651 |
申請人 |
通用電氣公司 |
地址 |
美國紐約州 |
發(fā)明人 |
威廉·F·班霍爾澤; 托馬斯·R·安東尼; 丹尼斯·M |
國際申請 |
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國際公布 |
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進入國家日期 |
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專利代理機構 |
中國專利代理有限公司 |
代理人 |
王景朝; 楊麗琴 |
摘要 |
本發(fā)明涉及一種由同位素純的碳-12和碳-13所組成的單晶金剛石的制造方法。在本發(fā)明中,同位素純的單晶金剛石是直接由同位素純的碳-12或碳-13在一個單晶基體上形成的?! ? |
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