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同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法

關鍵詞 同位素 , 外延 , 金剛石薄膜 , 制備 |2010-12-09 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法公開號1057869公開日1992.01.15主分類號C30B25/02&

 

名稱 同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法 
公開號 1057869  公開日 1992.01.15   
主分類號 C30B25/02  分類號 C30B25/02;C30B25/20;C30B29/04 
申請?zhí)?/strong> 91104585.6   
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 1991.07.02   
頒證日   優(yōu)先權 [32]1990.7.2[33]US[31]547,651 
申請人 通用電氣公司    地址 美國紐約州  
發(fā)明人 威廉·F·班霍爾澤; 托馬斯·R·安東尼; 丹尼斯·M  國際申請  
國際公布   進入國家日期  
專利代理機構 中國專利代理有限公司    代理人 王景朝; 楊麗琴   
摘要   本發(fā)明涉及一種由同位素純的碳-12和碳-13所組成的單晶金剛石的制造方法。在本發(fā)明中,同位素純的單晶金剛石是直接由同位素純的碳-12或碳-13在一個單晶基體上形成的?! ? 
 

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