申請?zhí)枺?01610866132.1
　　申請人：浙江工業(yè)大學(xué)
　　發(fā)明人：胡曉君 仰宗春

　　摘要： 本發(fā)明提供了一種石英基Si?V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜，其制備方法為：用納米金剛石溶液對石英襯底進行超聲振蕩預(yù)處理；采用熱絲化學(xué)氣相沉積法，在經(jīng)過預(yù)處理的石英襯底上制備得到納米金剛石薄膜，再將其置于500～650℃的空氣中保溫10～50min，即制得所述的石英基Si?V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜；本發(fā)明簡單易行、容易操作，制備得到的具有強Si?V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜與石英基體結(jié)合力較弱，為剝離獲得具有Si?V發(fā)光的納米金剛石晶粒奠定了良好的基礎(chǔ)，這對于實現(xiàn)納米金剛石在生物標(biāo)記、單光子源等領(lǐng)域的應(yīng)用具有十分重要的科學(xué)意義和工程價值。

　　主權(quán)利要求：1.一種石英基Si-V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜，其特征在于，所述石英基Si-V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜按如下方法制備得到：(1)用納米金剛石溶液對石英襯底進行超聲振蕩預(yù)處理；(2)采用熱絲化學(xué)氣相沉積法，在經(jīng)過步驟(1)預(yù)處理的石英襯底上制備得到納米金剛石薄膜，再將其置于500～650℃的空氣中保溫10～50min，即制得所述的石英基Si-V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜。
　　2.如權(quán)利要求1所述的石英基Si-V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜，其特征在于，所述步驟(1)的操作方法為：將納米金剛石粉末以料液質(zhì)量比1：50～150分散于去離子水中，得到納米金剛石溶液，將石英襯底置于所得納米金剛石溶液中，使用功率為200W的超聲波振蕩機進行超聲波振蕩0.5～3h，之后將石英襯底依次置于去離子水、丙酮中，使用功率為200W的超聲波振蕩機分別進行超聲清洗2min，最后干燥，備用。
　　3.如權(quán)利要求1所述的石英基Si-V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜，其特征在于，所述步驟(2)的操作方法為：將經(jīng)過步驟(1)預(yù)處理的石英襯底放入熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備，以丙酮為碳源，采用氫氣A鼓泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中，氫氣B、丙酮的流量比為200：90，熱絲與石英襯底的距離為6～10mm，反應(yīng)功率為1600～2000W，工作氣壓為1.63～2.63Kpa；薄膜生長時間為5～30min，在反應(yīng)過程中不加偏壓，薄膜生長結(jié)束后，在不通氫氣B的條件下降溫冷卻至室溫，即在石英襯底上制備得到納米金剛石薄膜，再將其置于500～650℃的空氣中保溫10～50min，即制得所述的石英基Si-V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜。
　　4.如權(quán)利要求1所述的石英基Si-V發(fā)光的單顆粒層納米金剛石薄膜，其特征在于，由尺寸為300～600nm的顆粒組成，每個顆粒中包含尺寸為納米級的金剛石晶粒和非晶碳相。