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激光浸出的聚晶金剛石和激光浸出方法和裝置

關(guān)鍵詞 聚晶金剛石 , 激光|2017-03-13 09:05:20|行業(yè)專利|來源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 申請(qǐng)?zhí)枺?01580024466.8申請(qǐng)人:哈利伯頓能源服務(wù)公司發(fā)明人:梁齊W·B·阿特金斯摘要:本公開涉及激光浸出聚晶金剛石(PCD)的方法、用于執(zhí)行...
  申請(qǐng)?zhí)枺?01580024466.8
  申請(qǐng)人:哈利伯頓能源服務(wù)公司
  發(fā)明人:梁齊 W·B·阿特金斯

  摘要: 本公開涉及激光浸出聚晶金剛石(PCD)的方法、用于執(zhí)行此類方法的裝置,并且涉及激光浸出的PCD以及包含激光浸出的PCD的元件和鉆頭。
  主權(quán)利要求:1.一種從聚晶金剛石(PCD)激光浸出催化劑的方法,其包括:通過利用激光照射所述待浸出的PCD的至少一部分將所述待浸出的PCD的所述部分的溫度至少升高到所述催化劑遷移出所述PCD的溫度,其中所述催化劑熔化并且擴(kuò)散到所述待浸出的PCD的所述至少一部分的表面;以及通過將所述表面放入液體溶液中將所述催化劑從所述表面去除,其中所述催化劑離開所述表面并且進(jìn)入所述液體溶液,從而導(dǎo)致激光浸出的PCD。
  2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中升高所述溫度發(fā)生在將所述催化劑從所述表面去除之前。
  3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中將所述表面放入液體溶液中發(fā)生在利用激光照射所述待浸出的PCD的所述部分之前。
  4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述表面在激光浸出之前浸出。
  5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述激光包括短波長(zhǎng)激光或微波。
  6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述催化劑包括第VIII族金屬或其合金。
  7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述PCD位于襯底上,所述襯底在所述激光浸出過程期間不受保護(hù)。
  8.如權(quán)利要求2所述的方法,其中當(dāng)利用激光照射一部分時(shí),所述PCD暴露于空氣。
  9.如權(quán)利要求8所述的方法,其中所述催化劑在所述表面處形成金屬氧化物。
  10.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述液體溶液包括極性溶劑。
  11.如權(quán)利要求10所述的方法,其中所述液體溶液包括酸。
  12.如權(quán)利要求10所述的方法,其中所述液體溶液包括水。
  13.如權(quán)利要求1所述的方法,其還包括調(diào)整所述液體溶液的pH以便將所述催化劑沉淀為金屬。
  14.如權(quán)利要求1所述的方法,其還包括移動(dòng)所述PCD,以使得所述PCD的多個(gè)部分由所述激光照射。
  15.如權(quán)利要求1所述的方法,其還包括移動(dòng)所述激光以照射所述PCD的多個(gè)部分。
  16.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述過程是自動(dòng)的。
  17.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述過程是重復(fù)的。
  18.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述過程在所述待浸出的PCD的至少一部分中導(dǎo)致熱穩(wěn)定的聚晶金剛石(TSP)。
  19.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述過程導(dǎo)致將至少所選比例的催化劑從所述待浸出的PCD的所述至少一部分去除。
  20.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述過程導(dǎo)致在所述待浸出的PCD的所述至少一部分中將催化劑去除達(dá)到所選深度。
 

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