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一種金剛石單晶人工生長裝置

關(guān)鍵詞 金剛石單晶 , 人工生長裝置|2016-06-23 08:41:01|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 申請?zhí)枺?01620008459.0申請人:濟(jì)南中烏新材料有限公司山東貝斯特環(huán)境技術(shù)有限公司發(fā)明人:王篤福王盛林王希江潘子明王希瑋徐昌摘要:一種金剛石單晶人工生長裝置,包括導(dǎo)電片、...
  申請?zhí)枺?01620008459.0
  申請人:濟(jì)南中烏新材料有限公司 山東貝斯特環(huán)境技術(shù)有限公司
  發(fā)明人:王篤福 王盛林 王希江 潘子明 王?,| 徐昌

  摘要:一種金剛石單晶人工生長裝置,包括導(dǎo)電片、導(dǎo)電石墨環(huán)、耐火保溫套、石墨管、絕緣槽和導(dǎo)電石墨片,導(dǎo)電石墨片和絕緣槽設(shè)置在石墨管內(nèi),導(dǎo)電石墨片與絕緣槽形成金剛石單晶生長的封閉空間,石墨管的外側(cè)設(shè)置有耐火保溫套及端蓋,端蓋內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電石墨環(huán),端蓋的外側(cè)設(shè)置有導(dǎo)電片,導(dǎo)電石墨環(huán)的兩端分別與石墨管和導(dǎo)電片接觸。該裝置結(jié)構(gòu)簡單,密封性好,封閉空間內(nèi)裝有石墨塊和金屬觸媒塊,采用高溫高壓條件,通過HPHT(高溫高壓),利用溫度梯度法能夠生長出粒徑大于10mm的大顆粒金剛石單晶體或具有半導(dǎo)體性質(zhì)的Ⅱb型的金剛石單晶。
  主權(quán)利要求:1.一種金剛石單晶人工生長裝置,包括導(dǎo)電片、導(dǎo)電石墨環(huán)、耐火保溫套、石墨管、絕緣槽和導(dǎo)電石墨片;其特征是:導(dǎo)電石墨片和絕緣槽設(shè)置在石墨管內(nèi),導(dǎo)電石墨片設(shè)置在絕緣槽的開口處,兩者形成金剛石單晶生長的封閉空間,石墨管的外側(cè)設(shè)置有耐火保溫套,石墨管的上端和下端均設(shè)置有端蓋,端蓋內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電石墨環(huán),端蓋的外側(cè)設(shè)置有導(dǎo)電片,導(dǎo)電石墨環(huán)的兩端分別與石墨管和導(dǎo)電片接觸。
  2.根據(jù)權(quán)利要求1所述金剛石單晶人工生長裝置,其特征是:所述耐火保溫套是在葉臘石塊內(nèi)套裝白云石環(huán)而成。
 

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