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研磨組合物和使用該研磨組合物的基板的研磨方法

關(guān)鍵詞 研磨組合物|2015-10-19 08:48:26|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 申請?zhí)枺?01510152020.5申請人:昭和電工株式會社發(fā)明人:藤本廣志黑巖美鈴摘要:提供針對藍(lán)寶石基板之類的高硬度和高脆性材料能夠提高研磨速率的研磨組合物、和使用該研磨組合物...
  申請?zhí)枺?01510152020.5
  申請人:昭和電工株式會社
  發(fā)明人:藤本廣志 黑巖美鈴

  摘要:提供針對藍(lán)寶石基板之類的高硬度和高脆性材料能夠提高研磨速率的研磨組合物、和使用該研磨組合物的基板研磨方法。本發(fā)明涉及的研磨組合物,配合有包含金剛石的磨粒、選自氯化氫和溴化氫中的至少1種物質(zhì)的堿金屬鹽、和分散介質(zhì),以研磨組合物總量為基準(zhǔn),該堿金屬鹽(B成分)為0.05質(zhì)量%以上10質(zhì)量%以下,以研磨組合物總量為基準(zhǔn),該分散介質(zhì)中的水為2.0質(zhì)量%以上40質(zhì)量%以下。

  主權(quán)利要求:1.一種研磨組合物,配合有:包含金剛石的磨粒;選自氯化氫和溴化氫中的至少1種物質(zhì)的堿金屬鹽;和分散介質(zhì),以研磨組合物總量為基準(zhǔn),該堿金屬鹽為0.05質(zhì)量%以上10質(zhì)量%以下,以研磨組合物總量為基準(zhǔn),該分散介質(zhì)中的水為2.0質(zhì)量%以上40質(zhì)量%以下。
  2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨組合物,其還配合有高分子化合物,所述高分子化合物相對于研磨組合物總量為0.05質(zhì)量%以上5質(zhì)量%以下。
  3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的研磨組合物,所述高分子化合物是選自聚羧酸、聚羧酸的鹽、聚磺酸和聚磺酸的鹽中的至少1種。
  4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,所述分散介質(zhì)為混合物,所述混合物包含選自乙二醇、二甘醇和丙二醇中的單獨(dú)1種或2種 以上、和水。
  5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,所述金剛石的平均粒徑為0.5μm以上10μm以下。
  6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的研磨組合物,所述金剛石的平均粒徑為1μm以上8μm以下。
  7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的研磨組合物,所述金剛石的平均粒徑為2μm以上6μm以下。
  8.根據(jù)權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,所述包含金剛石的磨粒的含量相對于研磨組合物總量為0.03質(zhì)量%以上3質(zhì)量%以下。
  9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的研磨組合物,所述包含金剛石的磨粒的含量相對于研磨組合物總量為0.06質(zhì)量%以上1.5質(zhì)量%以下。
  10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨組合物,所述包含金剛石的磨粒的含量相對于研磨組合物總量為0.09質(zhì)量%以上1.0質(zhì)量%以下。
  11.根據(jù)權(quán)利要求1~10的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,以研磨組合物總量為基準(zhǔn),所述堿金屬鹽為0.1質(zhì)量%以上10質(zhì)量%以下。
  12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的研磨組合物,以研磨組合物總量為基準(zhǔn),所述堿金屬鹽為0.5質(zhì)量%以上5質(zhì)量%以下。
  13.根據(jù)權(quán)利要求1~12的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,以研磨組合物總量為基準(zhǔn),所述分散介質(zhì)中的水為2.0質(zhì)量%以上30質(zhì)量%以下。
  14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的研磨組合物,以研磨組合物總量為基準(zhǔn),所述分散介質(zhì)中的水為2.0質(zhì)量%以上20質(zhì)量%以下。
  15.根據(jù)權(quán)利要求1~14的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,所述分散介質(zhì)的含量相對于研磨組合物總量為60質(zhì)量%以上且低于99.95質(zhì)量%。
  16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的研磨組合物,所述分散介質(zhì)的含量相對于研磨組合物總量為70質(zhì)量%以上且低于99.95質(zhì)量%。
  17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的研磨組合物,所述分散介質(zhì)的含量相對于研磨組合物總量為80質(zhì)量%以上且低于99.95質(zhì)量%。
  18.根據(jù)權(quán)利要求2~17的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,相對于研磨組合物總量,配合有0.1質(zhì)量%以上1質(zhì)量%以下的所述高分子化合物。
  19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的研磨組合物,相對于研磨組合物總量,配合有0.2質(zhì)量%以上0.7質(zhì)量%以下的所述高分子化合物。
  20.根據(jù)權(quán)利要求1~19的任一項(xiàng)所述的研磨組合物,所述堿金屬鹽為溴化鉀。
  21.一種基板的研磨方法,使用權(quán)利要求1~20的任一項(xiàng)所述的研磨組合物對基板進(jìn)行研磨,所述基板包含選自藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵和氮化 鋁中的至少1種材料。
  22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的基板的研磨方法,所述基板為藍(lán)寶石基板,為發(fā)光二極管用基板。
 

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