申請(qǐng)?zhí)枺?01180066337

　　申請(qǐng)人：六號(hào)元素有限公司

　　摘要：一種制造合成CVD金剛石材料的方法，所述方法包括：設(shè)置微波等離子體反應(yīng)器，所述微波等離子體反應(yīng)器包括：等離子體腔；一個(gè)或多個(gè)基底，所述一個(gè)或多個(gè)基底設(shè)置在所述等離子體腔中，在使用時(shí)提供所述合成CVD金剛石材料在其上沉積的生長(zhǎng)表面區(qū)域；微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)，所述微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)用于將微波從微波發(fā)生器進(jìn)給到所述等離子體腔內(nèi)；以及氣體流動(dòng)系統(tǒng)，所述氣體流動(dòng)系統(tǒng)用于將工藝氣體進(jìn)給到所述等離子體腔內(nèi)和將所述工藝氣體從所述等離子體腔中移除；將工藝氣體注入到所述等離子體腔內(nèi)；通過(guò)所述微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)將微波從所述微波發(fā)生器進(jìn)給到所述等離子體腔內(nèi)以在所述生長(zhǎng)表面區(qū)域上形成等離子體；以及在所述生長(zhǎng)表面區(qū)域上生長(zhǎng)合成CVD金剛石材料，其中，所述工藝氣體包括從硼、硅、硫、磷、鋰、和鈹中的一種或多種選取的呈氣體形式的以等于或大于0.01ppm的濃度存在的至少一種摻雜劑和/或以等于或大于0.3ppm的濃度存在的氮，其中，所述氣體流動(dòng)系統(tǒng)包括氣體入口，所述氣體入口包括與所述生長(zhǎng)表面區(qū)域相對(duì)設(shè)置且配置為將工藝氣體朝向所述生長(zhǎng)表面區(qū)域注入的一個(gè)或多個(gè)氣體入口噴嘴，以及其中，所述工藝氣體以等于或大于500標(biāo)準(zhǔn)cm3/min的總氣體流速朝向所述生長(zhǎng)表面區(qū)域注入，和/或其中所述工藝氣體以范圍為從1至100的雷諾數(shù)通過(guò)所述氣體入口噴嘴或每個(gè)氣體入口噴嘴注入到所述等離子體腔內(nèi)。

　　獨(dú)立權(quán)利要求：1.一種制造合成CVD金剛石材料的方法，所述方法包括：設(shè)置微波等離子體反應(yīng)器，所述微波等離子體反應(yīng)器包括：等離子體腔；一個(gè)或多個(gè)基底，所述一個(gè)或多個(gè)基底設(shè)置在所述等離子體腔中，在使用時(shí)提供所述合成CVD金剛石材料在其上沉積的生長(zhǎng)表面區(qū)域；微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)，所述微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)用于將微波從微波發(fā)生器進(jìn)給到所述等離子體腔內(nèi)；以及氣體流動(dòng)系統(tǒng)，所述氣體流動(dòng)系統(tǒng)用于將工藝氣體進(jìn)給到所述等離子體腔內(nèi)和將所述工藝氣體從所述等離子體腔中移除；將工藝氣體注入到所述等離子體腔內(nèi)；通過(guò)所述微波聯(lián)接結(jié)構(gòu)將微波從所述微波發(fā)生器進(jìn)給到所述等離子體腔內(nèi)以在所述生長(zhǎng)表面區(qū)域上形成等離子體；以及在所述生長(zhǎng)表面區(qū)域上生長(zhǎng)合成CVD金剛石材料，其中，所述工藝氣體包括：從硼、硅、硫、磷、鋰、和鈹中的一種或多種選取的呈氣體形式的至少一種摻雜劑，所述摻雜劑或每種摻雜劑以等于或大于0.01ppm的濃度存在；和/或以等于或大于0.3ppm的濃度存在的氮，其中，所述氣體流動(dòng)系統(tǒng)包括氣體入口，所述氣體入口包括與所述生長(zhǎng)表面區(qū)域相對(duì)設(shè)置且配置為將工藝氣體朝向所述生長(zhǎng)表面區(qū)域注入的一個(gè)或多個(gè)氣體入口噴嘴，以及其中，所述工藝氣體以等于或大于500標(biāo)準(zhǔn)cm3/min的總氣體流速朝向所述生長(zhǎng)表面區(qū)域注入，和/或所述工藝氣體以范圍為從1至100的雷諾數(shù)通過(guò)所述氣體入口噴嘴或每個(gè)氣體入口噴嘴注入到所述等離子體腔內(nèi)。

　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一種摻雜劑以受控的方式注入到所述等離子體腔內(nèi)或者在被注入到所述等離子體腔內(nèi)
之前添加到一種或多種工藝氣體中。

　　3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述至少一種摻雜劑包括：硼、硅、硫、磷、鋰和鈹中的一種或多種，并且其中，所述工藝
氣體包括小于0.3ppm的氮；或者濃度為等于或大于0.3ppm的氮，并且其中，所述工藝氣體包括小于0.01ppm的硼、硅、硫、磷、鋰、和
鈹。

　　4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，所述至少一種摻雜劑以等于或大于0.05ppm、0.1ppm、0.3ppm、0.5ppm、0.7ppm、1ppm、3ppm、5ppm、10ppm、20ppm、50ppm、100ppm、200ppm、300ppm、500ppm、700ppm、或1000ppm的濃度提供在工藝氣體中。

　　5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，所述工藝氣體包括等于或大于1×10-6、10×10-6、100×10-6、或1000×10-6的摻雜劑濃度/碳濃度的比率。

　　6.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，通過(guò)所述氣體入口進(jìn)給的所述總氣體流速等于或大于750、1000、2000、5000、10000、15000、20000、25000、30000、35000、或40000標(biāo)準(zhǔn)cm3/min。

　　7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，通過(guò)所述氣體入口進(jìn)給的所述總氣體流量對(duì)于每cm2的所述表面生長(zhǎng)區(qū)域等于或大于3、10、20、50、100、200、500、或1000標(biāo)準(zhǔn)cm3，并且對(duì)于每cm2的所述表面生長(zhǎng)區(qū)域等于或小于50000、20000、10000、或5000標(biāo)準(zhǔn)cm3。

　　8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴或每個(gè)氣體入口噴嘴具有范圍為從0.1mm至5mm、0.2mm至3.0mm、2.0mm至3mm、0.2mm至2mm、0.25mm至2mm、或0.25mm至1.5mm的出口直徑。

　　9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，在所述氣體入口與所述生長(zhǎng)表面區(qū)域之間的最小距離Dc小于或等于6Rs、4Rs、或2Rs，其中Rs為所述生長(zhǎng)表面區(qū)域的半徑。

　　10.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，所述工藝氣體以等于或小于100、80、50、40、或35且至少為1、5、10、15、20、或25的雷諾數(shù)通過(guò)所述氣體入口噴嘴或每個(gè)氣體入口噴嘴注入到所述等離子體腔內(nèi)。

　　11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，在所述等離子體腔內(nèi)的操作壓力等于或大于：對(duì)于范圍為從2300至2600MHz的微波頻率為100、200、220、240、260、280、300、320、340、360、380、或400Torr；對(duì)于范圍為從800至1000MHz的微波頻率為120、140、160、180、200、220、240、或260Torr；或者對(duì)于范圍為從400至500MHz的微波頻率為60、70、80、100、120、140、或150Torr。

　　12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，供給到所述等離子體腔內(nèi)的功率的至少45％、50％、55％、60％、65％、或70％通過(guò)與所述氣體入口相對(duì)設(shè)置的所述等離子體腔的基部傳輸。

　　13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，傳送到所述生長(zhǎng)表面區(qū)域上的功率密度等于或大于0.05、0.1、0.5、1、1.5、2.0、2.5、2.75、3.0、3.2、或3.5W/mm2的所述生長(zhǎng)表面區(qū)域。

　　14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，所述氣體入口包括入口噴嘴陣列，所述入口噴嘴陣列包括與所述生長(zhǎng)表面區(qū)域相對(duì)設(shè)置且配置為將工藝氣體朝向所述生長(zhǎng)表面區(qū)域注入的多個(gè)氣體入口噴嘴。

　　15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴陣列包括等于或大于6、7、9、10、15、20、30、40、60、90、120、150、200、300、500、700、1000、1200、1500個(gè)氣體入口噴嘴。

　　16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴陣列包括：等于或大于0.1個(gè)噴嘴數(shù)/cm2的氣體入口噴嘴數(shù)量密度，其中，所述氣體入口噴嘴數(shù)量密度通過(guò)將所述噴嘴投影到其法線與所述等離子體腔的中央軸線平行設(shè)置的平面上且測(cè)量在所述平面上的所述氣體入口數(shù)量密度而測(cè)得；以及等于或大于10的噴嘴面積比率，其中，所述噴嘴面積比率通過(guò)將所述噴嘴投影到其法線與所述等離子體腔的中央軸線平行設(shè)置的平面上、測(cè)量在所述平面上的所述氣體入口噴嘴面積的總面積、除以所述噴嘴的總數(shù)目以給出與每個(gè)噴嘴相關(guān)聯(lián)的面積、并且將所述與每個(gè)噴嘴相關(guān)聯(lián)的面積除以每個(gè)噴嘴的實(shí)際面積而測(cè)得。

　　17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴數(shù)量密度等于或大于0.2、0.5、1、2、5、或10個(gè)噴嘴數(shù)/cm2。

　　18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴數(shù)量密度等于或小于100、50、或10個(gè)噴嘴數(shù)/cm2。

　　19.根據(jù)權(quán)利要求16至18中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述噴嘴面積比率等于或大于30、100、300、1000、或3000。

　　20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述噴嘴面積比率等于或小于100000、30000、或10000。

　　21.根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述總噴嘴面積/所述氣體入口噴嘴陣列的面積的比率等于或小于0.5、0.35、0.3、0.2、0.1、0.05、0.02、0.01、或0.007。

　　22.根據(jù)權(quán)利要求16至21中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述氣體入口噴嘴陣列中的噴嘴的總面積以mm2給定的范圍為從1至5000、5至3000、10至3000、20至2750、30至2750、或50至2700。

　　23.根據(jù)權(quán)利要求16至22中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴在其上間隔布置的所述氣體入口噴嘴陣列的總面積以mm2給定的范圍為從100至15000、200至15000、400至10000、800至10000、或1000至8000。

　　24.根據(jù)權(quán)利要求16至23中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴陣列包括六方密集堆積的氣體入口噴嘴陣列。

　　25.根據(jù)權(quán)利要求16至24中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴沿相對(duì)于所述等離子體腔的中央軸線基本平行或發(fā)散的方向
設(shè)置。

　　26.根據(jù)權(quán)利要求16至25中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述氣體入口噴嘴陣列的最大半徑Rm滿足如下標(biāo)準(zhǔn)：RmxFm大于或等于Rs，其中，Rs為所述生長(zhǎng)表面區(qū)域的半徑，而Fm等于或大于0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、或1并且等于或小于1.5、1.3、1.2、或1.1。

　　27.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，一種合成多晶CVD金剛石晶片被生長(zhǎng)，所述合成多晶CVD金剛石晶片包括濃度在所述合成多晶CVD金剛石晶片的至少70%、80%、90%、或95%的體積上變化不超過(guò)平均濃度的50％、40％、30％、20％、10％、或5％的至少一種摻雜劑。

　　28.根據(jù)權(quán)利要求1至26中任一項(xiàng)所述的方法，其中，至少10、20、30、40、50、60、80或100個(gè)合成單晶CVD金剛石在單次生長(zhǎng)運(yùn)行中生長(zhǎng)，其中，所述合成單晶CVD金剛石具有變化不超過(guò)平均厚度的20%、10%、5%、3%、2%、或1%的厚度。

　　29.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中，在所述等離子體反應(yīng)器內(nèi)的摻雜劑的原子分壓等于或大于：在范圍為從2300至2600MHz的微波頻率下20Pa、100Pa、200Pa、400Pa、800Pa、1200Pa或1600Pa；在范圍為從800至1000MHz的微波頻率下10Pa、50Pa、100Pa、200Pa、400Pa、600Pa、800Pa或1000Pa；在范圍為從400至500MHz的微波頻率下5Pa、25Pa、50Pa、100Pa、200Pa、300Pa、400Pa、或500Pa。

　　30.一種合成多晶CVD金剛石晶片，所述晶片具有等于或大于140mm的最長(zhǎng)尺寸，并且包括具有濃度在所述合成多晶CVD金剛石晶片的至少70%的體積上變化不超過(guò)平均濃度的50%的至少一種摻雜劑。

　　31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的合成多晶CVD金剛石晶片，其中，所述濃度在所述合成多晶CVD金剛石晶片的至少70%、80%、90%、或95%的體積上變化不超過(guò)40%、30%、20%、10%、或5%。

　　32.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的合成多晶CVD金剛石晶片，其中，所述摻雜劑從氮、硼、硅、硫、磷、和鋰中的一種或多種選取。

　　33.根據(jù)權(quán)利要求30至32中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片，其中，所述合成多晶CVD金剛石晶片包括濃度為至少1014cm-3、1015cm-3、1016cm-3、1017cm-3、1018cm-3、1019cm-3、1020cm-3、2×102cm-3、4×1020cm-3、6×1020cm-3、8×1020cm-3、1021cm-3、2×1021cm-3、4×1021cm-3、6×1021cm-3、8×1021cm-3、或1022cm-3的所述摻雜劑。

　　34.根據(jù)權(quán)利要求30至33中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片，其中，所述合成多晶CVD金剛石晶片具有至少為0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.75mm、1mm、1.25mm、1.5mm、或2mm的厚度。

　　35.根據(jù)權(quán)利要求30至34中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片，其中，所述合成多晶CVD金剛石晶片具有至少145mm或150mm的最長(zhǎng)尺寸。

　　36.根據(jù)權(quán)利要求30至35中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片，包括等于或大于2、5、10、20、50、100、500、或1000的摻雜劑比率x/y，其中，x為所述摻雜劑，而y為從由硼、氮和硅構(gòu)成的組中選取的一種或多種不同的雜質(zhì)。

　　37.根據(jù)權(quán)利要求30至36中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片，具有等于或小于10Ω-cm、1Ω-cm、10-1Ω-cm、或10-2Ω-cm的電
阻率。

　　38.根據(jù)權(quán)利要求30至37中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片，對(duì)于在所述合成多晶金剛石晶片的至少70%、80%、90%、或95%的面積上采用的至少17個(gè)測(cè)量點(diǎn)的至少70%、80%、90%、或95%而言，具有變化不超過(guò)平均電阻率的±30％、±20％、±10％、或±5％的電阻率。

　　39.根據(jù)權(quán)利要求30至38中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片，具有等于或小于平均厚度的30%、25%、20%、15%、10%、5%、或2%的厚度變化。

　　40.一種合成單晶CVD金剛石材料層，所述層具有大于50μm的厚度，并且包括具有濃度等于或大于2×1020cm-3的硼摻雜劑。

　　41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的合成單晶CVD金剛石材料層，其中，所述層具有至少為0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.75mm、1mm、1.25mm、1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、5mm、8mm、或10mm的厚度。

　　42.根據(jù)權(quán)利要求40或41所述的合成單晶CVD金剛石材料層，其中，所述摻雜劑濃度等于或大于4×1020cm-3、5×1020cm-3、7×1020cm-3、1×1021cm-3、或2×1021cm-3。

　　43.根據(jù)權(quán)利要求40至42中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石材料層，包括等于或大于2、5、10、20、50、100、500、或1000的摻雜劑比率x/y，其中，x為所述摻雜劑，而y為從由硼、氮和硅構(gòu)成的組中選取的一種或多種不同的雜質(zhì)。

　　44.根據(jù)權(quán)利要求40至43中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石材料層，其中，所述層具有等于或小于4×l0-4、1×l0-5、5×l0-5、或1×l0-6的雙折射。

　　45.根據(jù)權(quán)利要求40至44中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石材料層，所述層包括不大于105、104、或103cm-2的位錯(cuò)結(jié)構(gòu)濃度。

　　46.根據(jù)權(quán)利要求40至45中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石材料層，其中，所述層取向?yàn)閧100}晶面。

　　47.根據(jù)權(quán)利要求40至46中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石材料層，其中，所述摻雜劑的濃度在所述合成單晶CVD金剛石材料層
的至少70%、80%、90%、或95%上變化不超過(guò)平均值的50%、40%、30%、20%、10%、或5%。

　　48.一種合成單晶金剛石，包括摻雜層和相鄰的未摻雜層，其中，所述摻雜層與所述未摻雜層之間的界面基本沒(méi)有雜質(zhì)，并且其中，所述摻雜劑濃度在截過(guò)所述摻雜層與所述未摻雜層之間的界面的不超過(guò)10μm的厚度上變化至少3倍。

　　49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的合成單晶CVD金剛石，其中，所述摻雜劑濃度變化至少10、30、100、300、1000、30000、或100000倍。

　　50.根據(jù)權(quán)利要求48或49所述的合成單晶CVD金剛石，其中，所述厚度不超過(guò)3μm、1μm、0.3μm、0.1μm、0.03μm、0.01μm、0.003μm、或0.001μm。

　　51.根據(jù)權(quán)利要求48至50中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石，其中，基本沒(méi)有雜質(zhì)的界面為如下界面：其中在所述界面的延伸到所述摻雜層的厚度的20%、50%、或100%的任一側(cè)的區(qū)域中，雜質(zhì)濃度不超過(guò)1014、3×1014、1015、3×1015、1016、3×1016、或1017，并且在濃度上變化不超過(guò)2、3、5、10、30、100、300、或1000倍。

　　52.通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至29中任一項(xiàng)所述的方法制成的根據(jù)權(quán)利要求30至39中任一項(xiàng)所述的合成多晶CVD金剛石晶片。

　　53.通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至29中任一項(xiàng)所述的方法制成的根據(jù)權(quán)利要求40至47中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石材料層。

　　54.通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至29中任一項(xiàng)所述的方法制成的根據(jù)權(quán)利要求48至51中任一項(xiàng)所述的合成單晶CVD金剛石。