申請(qǐng)?zhí)枺?01180066335

　　申請(qǐng)人：六號(hào)元素有限公司

　　摘要：一種用于通過(guò)化學(xué)氣相沉積制造合成金剛石材料的微波等離子體反應(yīng)器，所述微波等離子體反應(yīng)器包括：等離子體室；布置于等離子體室中用于支承基底的基底保持器，在使用時(shí)合成金剛石材料沉積于所述基底上；用于將微波從微波產(chǎn)生器給送至等離子體室內(nèi)的微波耦合構(gòu)造，以及用于將處理氣體給送至等離子體室內(nèi)并且從等離子體室移除處理氣體的氣體流動(dòng)系統(tǒng)；其中，氣體流動(dòng)系統(tǒng)包括氣體入口噴嘴陣列，所述氣體入口噴嘴陣列包括布置成與基底保持器相對(duì)的用于指引處理氣體朝向基底保持器的多個(gè)氣體入口噴嘴，氣體入口噴嘴陣列包括：布置為相對(duì)于等離子體室的中心軸線基本平行或發(fā)散定向的至少六個(gè)氣體入口噴嘴；氣體入口噴嘴數(shù)量密度等于或大于0.1噴嘴數(shù)/平方厘米，其中，通過(guò)使噴嘴突出至其法線位置平行于等離子體室的中心軸線的平面上并且測(cè)量在所述平面上的氣體入口數(shù)量密度，來(lái)測(cè)量氣體入口噴嘴數(shù)量密度；以及噴嘴面積比值等于或大于10，其中，通過(guò)使噴嘴突出至其法線位置平行于等離子體室的中心軸線的平面上、測(cè)量在所述平面上的氣體入口噴嘴區(qū)域的總面積、除以噴嘴的總數(shù)量以給出與每一個(gè)噴嘴相關(guān)的面積、以及用與每一個(gè)噴嘴相關(guān)的面積除以每一個(gè)噴嘴的實(shí)際面積，來(lái)測(cè)量噴嘴面積比值。

　　獨(dú)立權(quán)力要求：1.一種用于通過(guò)化學(xué)氣相沉積制造合成金剛石材料的微波等離子體反應(yīng)器，所述微波等離子體反應(yīng)器包括：等離子體室；布置于等離子體室中用于支承基底的基底保持器，在使用時(shí)合成金剛石材料沉積于所述基底上；用于將微波從微波產(chǎn)生器給送至等離子體室內(nèi)的微波耦合構(gòu)造，以及用于將處理氣體給送至等離子體室內(nèi)并且從等離子體室移除處理氣體的氣體流動(dòng)系統(tǒng)；其中，氣體流動(dòng)系統(tǒng)包括氣體入口噴嘴陣列，所述氣體入口噴嘴陣列包括布置成與基底保持器相對(duì)的用于指引處理氣體朝向基底保持器的多個(gè)氣體入口噴嘴，氣體入口噴嘴陣列包括：布置為相對(duì)于等離子體室的中心軸線基本平行或發(fā)散定向的至少六個(gè)氣體入口噴嘴；氣體入口噴嘴數(shù)量密度等于或大于0.1噴嘴數(shù)/平方厘米，其中，通過(guò)使噴嘴突出至其法線位置平行于等離子體室的中心軸線的平面上并且測(cè)量在所述平面上的氣體入口數(shù)量密度，來(lái)測(cè)量氣體入口噴嘴數(shù)量密度；以及噴嘴面積比值等于或大于10，其中，通過(guò)使噴嘴突出至其法線位置平行于等離子體室的中心軸線的平面上、測(cè)量在所述平面上的氣體入口噴嘴區(qū)域的總面積、除以噴嘴的總數(shù)量以給出與每一個(gè)噴嘴相關(guān)的面積、以及用與每一個(gè)噴嘴相關(guān)的面積除以每一個(gè)噴嘴的實(shí)際面積，來(lái)測(cè)量噴嘴面積比值。

　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴數(shù)量密度等于或大于0.2、0.5、1、2、5、或10噴嘴數(shù)/平方厘米。

　　3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴數(shù)量密度等于或小于100、50、或10噴嘴數(shù)/平方厘米。

　　4.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，噴嘴面積比值等于或大于30、100、300、1000、或3000。

　　5.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，噴嘴面積比值等于或小于100000、30000、或10000。

　　6.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴陣列包括等于或大于7、9、10、15、20、30、40、60、90、120、150、200、300、500、700、1000、1200、1500個(gè)的氣體入口噴嘴。

　　7.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，每一個(gè)氣體入口噴嘴具有在以下范圍內(nèi)的出口直徑：0.1毫米至5毫米、0.2毫米至3毫米、2.0毫米至3毫米，0.2毫米至2毫米，0.25毫米至2毫米、或0.25毫米至1.5毫米。

　　8.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，總噴嘴面積/氣體入口噴嘴陣列面積的比值等于或小于0.5、0.35、0.3、0.2、0.1、0.05、0.02、0.01、或0.007。

　　9.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，以平方毫米給出的氣體入口噴嘴陣列中的噴嘴總面積在以下范圍內(nèi)：1至5000、5至3000、10至3000、20至2750、30至2750、或50至2700。

　　10.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，以平方毫米給出的其上氣體入口噴嘴相間隔的氣體入口噴嘴陣列的總面積在以下范圍內(nèi)：100至15000、200至15000、400至10000、800至10000、或1000至8000。

　　11.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴中的至少50%、60%、70%、80%、或90%具有相同的直徑。

　　12.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴被均一地間隔開(kāi)。

　　13.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴陣列包括六邊形閉合包裝的氣體入口噴嘴陣列。

　　14.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴陣列包括布置在平行于等離子體室的中心軸線的方向上的一個(gè)或多個(gè)中心氣體入口噴嘴。

　　15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴陣列包括布置在與等離子體室的中心軸線發(fā)散的方向上的多個(gè)外部氣體入口噴嘴。

　　16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，基本上全部氣體入口噴嘴布置在平行于等離子體室的中心軸線的方向上。

　　17.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴陣列和基底保持器之間的最小距離Dc小于或等于6Rs、4Rs、或2Rs，其中Rs為基底保持器的半徑。

　　18.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴陣列的最大半徑Rm滿(mǎn)足如下條件：Rm x Fm大于或等于Rs，其中Rs為基底保持器的半徑，并且Fm等于或大于0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、或1并且等于或小于1.5、1.3、1.2、或1.1。

　　19.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，每一個(gè)氣體入口噴嘴具有第一直徑的入口部分以及第二直徑的出口部分，第一直徑大于第二直徑。

　　20.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，用于將微波從微波產(chǎn)生器給送至等離子體室內(nèi)的微波耦合構(gòu)造布置在等離子體室的基底保持器上游的端部處。

　　21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口陣列布置于所述端部的中心區(qū)域中，并且微波耦合構(gòu)造包括布置于環(huán)繞氣體入口陣列的環(huán)中的微波窗口。

　　22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，多個(gè)氣體入口噴嘴布置于微波窗口的下游，由此所述多個(gè)氣體入口噴嘴定位于比微波窗口更靠近基底保持器。

　　23.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口噴嘴陣列包括殼體，所述殼體限定用于接收來(lái)自一個(gè)或多個(gè)氣體入口管道的處理氣體的腔，殼體還限定用于將處理氣體從腔注入等離子體室內(nèi)并且朝向基底保持器的多個(gè)入口噴嘴。

　　24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，殼體定位于等離子體室內(nèi)。

　　25.根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，腔構(gòu)造成在將處理氣體注入通過(guò)氣體入口噴嘴陣列之前混合處理氣體中
的至少一些。

　　26.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器，其中，氣體入口構(gòu)造成通過(guò)不同的噴嘴傳輸不同的氣體成分。

　　27.一種使用根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的微波等離子體反應(yīng)器制造合成金剛石材料的方法，所述方法包括：將處理氣體通過(guò)多個(gè)氣體入口噴嘴注入等離子體室內(nèi)；通過(guò)微波耦合構(gòu)造將微波從微波產(chǎn)生器給送至等離子體室內(nèi)，以在布置于基底保持器上的基底上方形成等離子體；以及在基底的生長(zhǎng)表面上生長(zhǎng)合成金剛石材料。

　　28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，被給送穿過(guò)氣體入口噴嘴陣列的總氣體流等于或大于500、750、1000、2000、5000、10000、15000、20000、25000、30000、35000、或40000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。

　　29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的方法，其中，被給送穿過(guò)氣體入口噴嘴陣列的總氣體流等于或大于3、10、20、50、100、200、500、或1000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘每平方厘米生長(zhǎng)表面面積，并且等于或小于50000、20000、10000、或5000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘每平方厘米生長(zhǎng)表面面積。

　　30.根據(jù)權(quán)利要求27至29中任一所述的方法，其中，氣體入口噴嘴陣列和基底之間的最小距離Dc小于或等于6Rs、4Rs、或2Rs，其中Rs為基底的半徑。

　　31.根據(jù)權(quán)利要求27至30中任一所述的方法，其中，氣體入口噴嘴陣列的最大半徑Rm滿(mǎn)足如下條件：Rm x Fm大于或等于Rs，其中Rs為基底的半徑，并且Fm等于或大于0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、或1并且等于或小于1.5、1.3、1.2、或1.1。

　　32.根據(jù)權(quán)利要求27至31中任一所述的方法，其中，處理氣體以如下雷諾數(shù)通過(guò)多個(gè)氣體入口噴嘴被注入等離子體室內(nèi)，所述雷諾數(shù)等于或小于100、80、50、30、20、10、5、3、2、或1。

　　33.根據(jù)權(quán)利要求27至32中任一所述的方法，其中，等離子體室內(nèi)的操作壓力在微波頻率2300至2600兆赫下等于或大于200、220、240、260、280、300、320、340、360、380或400托；在微波頻率800至1000兆赫下等于或大于120、140、160、180、200、220、240或260托；或者在微波頻率400至500兆赫下等于或大于60、70、80、100、120、140或150托。

　　34.根據(jù)權(quán)利要求27至33中任一所述的方法，其中，被給送至等離子體室內(nèi)的功率的至少45%、50%、55%、60%、65%或70%被傳
送穿過(guò)等離子體室的基部。

　　35.根據(jù)權(quán)利要求27至34中任一所述的方法，其中，輸送至基底的功率密度能夠等于或大于0.05、0.1、0.5、1、1.5、2.0、2.5、2.75、3.0、3.2、或3.5瓦/平方毫米生長(zhǎng)表面。

　　36.根據(jù)權(quán)利要求27至35中任一所述的方法，其中，來(lái)自多個(gè)氣體入口噴嘴的氣體流在重力下向下流動(dòng)。

　　37.根據(jù)權(quán)利要求27至36中任一所述的方法，其中，微波等離子反應(yīng)器被反轉(zhuǎn)，由此來(lái)自多個(gè)氣體入口噴嘴的氣體流抵抗重力向上流動(dòng)。

　　38.根據(jù)權(quán)利要求27至37中任一所述的方法，其中，處理氣體包括一種或多種摻雜物。

　　39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，一種或多種摻雜物包括硼。