專利號：201110004740

       申請人：大連理工大學

       技術簡要說明：本發(fā)明屬于微納米材料技術領域，涉及一種硼摻雜金剛石微納米材料及其制備方法。本發(fā)明的柱狀陣列結構硼摻雜金剛石微納米材料是在硅基底上制備的，其特征在于：硅基底為采用光刻技術在硅上形成單個柱高為5～20μm、柱直徑為1～10μm、柱間距為2～10μm的柱狀陣列結構，在硅基底上先超聲接種金剛石種子，再采用微波等離子體化學氣相沉積法，形成厚度為0.5～2μm的硼摻雜金剛石膜，硼摻雜金剛石柱軸向相互平行，形成有序的柱狀陣列結構，單個硼摻雜金剛石柱高度為5.5～22μm、直徑為2～14μm、柱間距為0.4～8μm。本發(fā)明的硼摻雜金剛石微納米材料比表面積大，可用于電化學檢測等方面。

       主權利要求：１．一種柱狀陣列結構硼摻雜金剛石微納米材料，是在硅基底上制備的，其特征在于：硅基底為采用光刻技術在硅上形成單個柱高為５～２０μｍ、柱直徑為１～１０μｍ、柱間距為２～１０μｍ的柱狀陣列結構，硅柱的軸向相互平行；在硅基底上先超聲接種金剛石種子，再以甲烷為碳源、硼烷為硼摻雜劑、采用微波等離子體化學氣相沉積法形成厚度為０．５～２μｍ的硼摻雜金剛石膜，制成柱狀陣列結構硼摻雜金剛石微納米材料，單個硼摻雜金剛石柱高度為５．５～２２μｍ、直徑為２～１４μｍ、柱間距為０．４～８μｍ，硼摻雜金剛石柱軸向相互平行，形成有序的柱狀陣列結構。