摻氮納米金剛石薄膜的制備方法
關(guān)鍵詞 納米 , 金剛石 , 摻氮 , 薄膜|2012-06-04 11:26:12|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 專利號:201010277501申請人:西南科技大學(xué)技術(shù)簡要說明:本發(fā)明是摻氮納米金剛石薄膜的制備方法。包括:a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸為原料,合
專利號:201010277501
申請人:西南科技大學(xué)
技術(shù)簡要說明:本發(fā)明是摻氮納米金剛石薄膜的制備方法。包括:a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸為原料,合成得到C60含氮衍生物;b、將C60含氮衍生物溶入甲苯中形成甲苯溶液,放入液態(tài)源容器中;c、將單晶硅基片放入微波等離子體反應(yīng)腔中的樣品臺上,開啟微波發(fā)生器,并向液態(tài)源容器通入氬氣,通過液體鼓泡法用氬氣將C60含N衍生物分子載入反應(yīng)腔中并在微波能激勵下共同形成等離子體金剛石薄膜。本發(fā)明生成的摻氮納米金剛石薄膜電子電導(dǎo)率大,最高達(dá)1.31×102Ω-1cm-1,遷移率也較高,對應(yīng)電導(dǎo)率最大值時可到22cm2/V·s。本發(fā)明制備高電導(dǎo)率n型金剛石膜方法簡便,實施容易。
① 凡本網(wǎng)注明"來源:超硬材料網(wǎng)"的所有作品,均為河南遠(yuǎn)發(fā)信息技術(shù)有限公司合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來源:超硬材料網(wǎng)"。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明"來源:XXX(非超硬材料網(wǎng))"的作品,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé)。
③ 如因作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題需要同本網(wǎng)聯(lián)系的,請在30日內(nèi)進(jìn)行。
※ 聯(lián)系電話:0371-67667020