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官方微信摘要 名稱碳化硅橫向場效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用公開號1339173公開日2002.03.06主分類號H01L21/335
| 名稱 | 碳化硅橫向場效應(yīng)晶體管和制造方法及其使用 | ||
| 公開號 | 1339173 | 公開日 | 2002.03.06 |
| 主分類號 | H01L21/335 | 分類號 | H01L21/335;H01L29/772;H01L29/24 |
| 申請?zhí)?/strong> | 00803404.4 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2000.02.01 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1999.2.3___SE_9900358－4 | |
| 申請人 | 阿克里奧股份公司 | 地址 | 瑞典基斯塔 |
| 發(fā)明人 | 克里斯托弗·哈里;安德雷·康斯坦丁歐夫 | 國際申請 | PCT/SE00/00192 2000.2.1 |
| 國際公布 | WO00/46850 英 2000.8.10 | 進(jìn)入國家日期 | 2001.08.02 |
| 專利代理機構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 王永剛 |
| 摘要 | 一種用于高開關(guān)頻率的碳化硅橫向場效應(yīng)晶體管，它包含橫向分隔開的重?fù)诫sn型源區(qū)層(5) 和漏區(qū)層(6)、橫向延伸并將源區(qū)層與漏區(qū)層互連以便在晶體管處于接通態(tài)時使電流在這些層之間傳導(dǎo)的 n型溝道層(4)、以及安排來通過改變施加到柵電極的電位而控制溝道層成為導(dǎo)電或截止的柵電極(9)。重?fù)诫sp型基極層(12)被排列在溝道層緊鄰，至少 部分覆蓋柵電極且橫向離漏區(qū)層一定距離?；鶚O層被短路到源區(qū)層。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號