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釩不占主導的半絕緣碳化硅

關鍵詞 半絕緣碳化硅 |2010-12-24 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱釩不占主導的半絕緣碳化硅公開號1351680公開日2002.05.29主分類號C30B29/36

 

名稱 釩不占主導的半絕緣碳化硅 
公開號 1351680  公開日 2002.05.29   
主分類號 C30B29/36  分類號 C30B29/36;C30B23/00;C30B33/00 
申請?zhí)?/strong> 00807706.1   
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 2000.05.17   
頒證日   優(yōu)先權 1999.5.18__US_09/313,802 
申請人 克里公司    地址 美國北卡羅萊納  
發(fā)明人 C·H·小卡特;M·布拉迪;V·F·茨維特科夫    國際申請 PCT/US00/13557 2000.5.17 
國際公布 WO00/71787 英 2000.11.30  進入國家日期 2001.11.16  
專利代理機構 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所    代理人 龍傳紅   
摘要   公開了一個半絕緣碳化硅體單晶材料,在室溫下其電阻率至少為 5000Ω-cm,其深能級陷阱元素的濃度比影響這個材料的電阻率的濃度值低,優(yōu)選地比可檢測濃度低,也公開了形成這個晶體的一個方法,和某些產(chǎn)生的器件,這些器件利用了使用根據(jù)本發(fā)明襯底而形成的微波頻率能力。
 

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