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官方微信摘要 名稱氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法公開號1344336公開日2002.04.10主分類號C30
| 名稱 | 氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法 | ||
| 公開號 | 1344336 | 公開日 | 2002.04.10 |
| 主分類號 | C30B29/36 | 分類號 | C30B29/36;C30B29/38;C30B23/00;C30B29/40 |
| 申請?zhí)?/strong> | 99811961.X | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1999.10.08 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | 1998.10.9__US_09/169,401 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | C·E·亨特 | 國際申請 | PCT/US99/23487 1999.10.8 |
| 國際公布 | WO00/22203 英 2000.4.20 | 進入國家日期 | 2001.04.09 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 采用在許多成核點沉積Al、Si、N、C的適當蒸汽物質制備了低缺陷濃度、低雜質的氮化鋁、碳化硅及氮化鋁：碳化硅合金塊狀單晶，這些成核點是擇優(yōu)冷卻至低于晶體生長室內周圍表面溫度的。通過升華固態(tài)材料、汽化液態(tài)Al、Si或Al－Si、或注入源氣體來提供蒸汽物質。這些許多成核點可能未引種或者采用籽晶如4H或6HSiC進行經(jīng)引種的。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號