手機(jī)資訊
官方微信摘要 名稱表面待用碳化硅基體的回收公開號(hào)1252895公開日2000.05.10主分類號(hào)H01L33/00
| 名稱 | 表面待用碳化硅基體的回收 | ||
| 公開號(hào) | 1252895 | 公開日 | 2000.05.10 |
| 主分類號(hào) | H01L33/00 | 分類號(hào) | H01L33/00 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98804197.9 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.04.07 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1997.4.17[33]US[31]08/840,961 | |
| 申請(qǐng)人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國(guó)北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | G·H·尼格利 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT.US98/06836 1998.4.7 |
| 國(guó)際公布 | WO98.47185 英 1998.10.22 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 1999.10.15 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 龍傳紅 |
| 摘要 | 公開一種從碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物雜外延結(jié)構(gòu)回收表面待用碳化硅基體的方法。該方法包括向碳化硅基體上的Ⅲ族氮化物外延層施加應(yīng)力使外延層內(nèi)有效增加位錯(cuò)數(shù)量以便讓外延層在無機(jī)酸內(nèi)受到浸蝕和溶解，但反過來并不影響碳化硅基體，和隨后用無機(jī)酸接觸外延層以便去除Ⅲ族氮化物同時(shí)留下不受影響的碳化硅基體。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)