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官方微信摘要 名稱具有預定的α碳化硅區(qū)的半導體結構及此半導體結構的應用公開號1267397公開日2000.09.20主分類號
| 名稱 | 具有預定的α碳化硅區(qū)的半導體結構及此半導體結構的應用 | ||
| 公開號 | 1267397 | 公開日 | 2000.09.20 |
| 主分類號 | H01L29/24 | 分類號 | H01L29/24;H01L29/78;H01L29/739 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98808324.8 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.04.01 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1997.8.20[33]DE[31]19736211.7 | |
| 申請人 | 西門子公司 | 地址 | 德國慕尼黑 |
| 發(fā)明人 | 萊因霍爾德·肖納; 迪特里希·斯蒂法妮; 德薩德·彼得 | 國際申請 | PCT.DE98/00931 1998.4.1 |
| 國際公布 | WO99.9598 德 1999.2.25 | 進入國家日期 | 2000.02.21 |
| 專利代理機構 | 柳沈知識產(chǎn)權律師事務所 | 代理人 | 侯宇 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導體結構（ＨＳ），它包括至少一個α碳化硅區(qū)（３、１０、１１）和一個例如為氧化層的電絕緣區(qū)（１３a）以及一個在它們之間的界面（２０）。通過為至少一個鄰近界面的區(qū)選擇一種能帶寬度比６Ｈ碳化硅多型的能帶寬度小的α碳化硅多型，提高了在此區(qū)內(nèi)載流子的遷移率。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號