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官方微信摘要 名稱半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管公開號1309816公開日2001.08.22主分類號H01L29/778&
| 名稱 | 半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管 | ||
| 公開號 | 1309816 | 公開日 | 2001.08.22 |
| 主分類號 | H01L29/778 | 分類號 | H01L29/778 |
| 申請?zhí)?/strong> | 99808532.4 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1999.06.02 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1998.6.12 US 09/096,967 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | 斯科特·T·謝帕德;斯科特·T·阿倫;約翰·W·帕爾莫 | 國際申請 | PCT/US99/12287 1999.6.2 |
| 國際公布 | WO00/04587 英 2000.1.27 | 進入國家日期 | 2001.01.11 |
| 專利代理機構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 王以平 |
| 摘要 | 一種高電子遷移率晶體管(HEMT)(10)包括一個半絕緣碳化基底(11)，在基底上是氮化鋁緩沖層(12)，在緩沖層上面是絕緣的氮化鎵層(13)，氮化鎵層上是活性氮化鋁鎵結(jié)構(gòu)(14)，其上是鈍化層 (23)，和至氮化鋁鎵結(jié)構(gòu)的源、漏極和柵接點(21，22，23)。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號