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官方微信摘要 名稱碳化硅水平溝道緩沖柵極半導(dǎo)體器件公開號1308774公開日2001.08.15主分類號H01L29/24&nbs
| 名稱 | 碳化硅水平溝道緩沖柵極半導(dǎo)體器件 | ||
| 公開號 | 1308774 | 公開日 | 2001.08.15 |
| 主分類號 | H01L29/24 | 分類號 | H01L29/24;H01L29/808;H01L21/04 |
| 申請?zhí)?/strong> | 99808341.0 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1999.06.08 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1998.7.9 US 09/112686 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發(fā)明人 | R·辛格 | 國際申請 | PCT/US99/12861 1999.6.8 |
| 國際公布 | WO00/03440 英 2000.1.20 | 進(jìn)入國家日期 | 2001.01.08 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;王忠忠 |
| 摘要 | 本發(fā)明揭示了多種碳化硅溝道半導(dǎo)體器件，通過利用半導(dǎo)體柵極層和掩埋基區(qū)當(dāng)柵極上無偏置電壓時產(chǎn)生一個“夾斷”柵極區(qū)，去掉了柵極絕緣體。在本發(fā)明的實施例中，半導(dǎo)體器件包括一個第一類電導(dǎo)類型碳化硅漂移層，其中碳化硅漂移層有一個第一表面，并且有一個溝道區(qū)。在碳化硅漂移層中提供了一個第二類電導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料的掩埋基區(qū)，以定義溝道區(qū)。在碳化硅漂移層的第一表面上形成了一個第二類電導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料的柵極層，與碳化硅漂移層的溝道區(qū)相鄰。在柵極層上還可以形成一個柵極接觸。晶體管和閘流管都可以提供。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號