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官方微信摘要 名稱通過受控退火制造碳化硅功率器件的方法公開號(hào)1304546公開日2001.07.18主分類號(hào)H01L21/04&n
| 名稱 | 通過受控退火制造碳化硅功率器件的方法 | ||
| 公開號(hào) | 1304546 | 公開日 | 2001.07.18 |
| 主分類號(hào) | H01L21/04 | 分類號(hào) | H01L21/04 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 99807101.3 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1999.06.07 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | 1998.6.8 US 09/093,208 | |
| 申請(qǐng)人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發(fā)明人 | A·V·蘇沃羅夫;J·W·帕穆爾;R·辛格 | 國際申請(qǐng) | PCT/US99/12713 1999.6.7 |
| 國際公布 | WO99/67825 英 1999.12.29 | 進(jìn)入國家日期 | 2000.12.07 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陳霽;王忠忠 |
| 摘要 | 掩蔽碳化硅襯底的表面，在襯底限定開口，通過該開口，以能夠形成深p型注入的注入能量和劑量，向碳化硅襯底中注入p型摻雜劑，并且通過該開口，以能夠相對(duì)于深p型注入形成淺n型注入的能量和劑量，向碳化硅襯底中注入n型摻雜劑，由此制造碳化硅功率器件。在低于1650 ℃但較好高于約1500℃的溫度下，退火深p型注入和淺n型注入。退火時(shí)間較好在約5分鐘至約30分鐘。也可以將從室溫到退火溫度的升溫時(shí)間控制在少于約100分鐘但多于約30分鐘。也可以通過在少于約2 分鐘的時(shí)間內(nèi)將溫度從退火溫度降低到低約1500℃控制退火后的降溫時(shí)間。通過控制升溫時(shí)間、退火時(shí)間和／或溫度和／或降溫時(shí)間，可以制造高性能的碳化硅功率器件。 | ||
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