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一種直接生成高純α-SiC微粉的工藝方法

關(guān)鍵詞 直接 , 高純 , α-SiC , 微粉 , 工藝|2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱一種直接生成高純α-SiC微粉的工藝方法公開號1163859公開日1997.11.05主分類號C01

 

名稱 一種直接生成高純α-SiC微粉工藝方法 
公開號 1163859  公開日 1997.11.05   
主分類號 C01B31/36  分類號 C01B31/36;C04B35/565 
申請?zhí)?/strong> 96108683.1   
分案原申請?zhí)?/strong>   申請日 1996.07.12   
頒證日   優(yōu)先權(quán)  
申請人 江西省陶瓷研究所    地址 333001江西省景德鎮(zhèn)市東郊新廠西路121號  
發(fā)明人 張升棣; 王文章; 唐建華; 王文英; 黃衛(wèi)云; 郭莉娥; 雷  國際申請  
國際公布   進入國家日期  
專利代理機構(gòu) 江西省景德鎮(zhèn)市專利事務(wù)所    代理人 熊贛榮   
摘要   本發(fā)明是一種以石英粉為主要原料,配料后,經(jīng)低溫碳熱還原直接生成高溫型碳化硅(α-SiC)粉料的工藝方法。其要點是該方法包括:按照石英粉45—55、活性炭30—50、復合型催化劑1—9、有機粘結(jié)劑3—5的比例組配基料(重量%);基料造粒、干燥處理、裝缽入爐(窯),反應物料在1450—1750℃溫度中進行碳熱還原等。$ 該方法具有工藝簡單、反應溫度低、節(jié)能效益高、而且極易獲得純度高、平均粒度細小≤1μM的α-SiC微粉級產(chǎn)品。      
 

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