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官方微信摘要 名稱減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)公開號1167511公開日1997.12.10主分類號
| 名稱 | 減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu) | ||
| 公開號 | 1167511 | 公開日 | 1997.12.10 |
| 主分類號 | C30B19/02 | 分類號 | C30B19/02;C30B29/36 |
| 申請?zhí)?/strong> | 95196526.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1995.11.22 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1994.11.30[33]US[31]08/346,618 | |
| 申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發(fā)明人 | 弗拉迪米·A·德米特伊; 斯維拉納·V·倫達(dá)科瓦; 弗拉 | 國際申請 | PCT.US95/15276 95.11.22 |
| 國際公布 | WO96.17112 英 96.6.6 | 進(jìn)入國家日期 | 1997.05.30 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 王以平 |
| 摘要 | 公開了一種用來制作基本上沒有微管缺陷的碳化硅外延層的方法。此方法包含用液相外延方法，在碳化硅襯底上，從碳化硅在硅和一種使碳化硅在熔體中的溶解度增大的元素中的熔體中，生長一個(gè)碳化硅外延層。熔體中該元素的原子百分比相對于硅的原子百分比占優(yōu)勢。借助于在恰當(dāng)條件下繼續(xù)生長外延層，直至外延層的厚度達(dá)到使襯底中存在的微管缺陷不再重現(xiàn)于外延層中而終止由襯底傳入外延層的微管缺陷，從而顯著減少了外延層中微管缺陷的數(shù)目。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號