名稱 | 無依托超薄金剛石X光窗口及其制備工藝 | ||
公開號(hào) | 1386897 | 公開日 | 2002.12.25 |
主分類號(hào) | C23C16/27 | 分類號(hào) | C23C16/27;H01L31/115;H01L31/18 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 02111270.3 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 2002.04.04 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 復(fù)旦大學(xué) | 地址 | 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號(hào) |
發(fā)明人 | 應(yīng)萱同 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 上海正旦專利代理有限公司 | 代理人 | 陸飛 |
摘要 | 本發(fā)明屬于光電子功能材料及器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用無依托超薄金剛石多晶薄膜制備的新一代X光窗口及其制備工藝。本發(fā)明采用金剛石薄膜高密度(10#+[9-10]/cm#+[2])成核及優(yōu)化生長(zhǎng)工藝,制備無依托超薄金剛石多晶薄膜,再用化學(xué)方法刻蝕掉一部分硅基板,形成直徑為4-8毫米的完全無依托超薄金剛石X光窗口。該窗口在50-1550ev波段具有良好的透射率,具有低吸收、高熱導(dǎo)的優(yōu)良特性及很高的抗輻射特性,遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的X光鈹窗口,可廣泛應(yīng)用于X光元素分析、深亞微米超大規(guī)模集成電路制版技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)、物理、化學(xué)等研究領(lǐng)域 |