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中科院在石墨烯碳化硅顆粒核殼異質(zhì)結(jié)研究中取得進(jìn)展

中科院在石墨烯碳化硅顆粒核殼異質(zhì)結(jié)研究中取得進(jìn)展

隨著社會(huì)進(jìn)步和生活水平不斷提高,環(huán)境污染和能源短缺成為可持續(xù)發(fā)展的巨大障礙。破解這些障礙的解決方法包括光催化降解...

日期 2015-12-21   

我國(guó)碳化硅晶須材料研發(fā)方面取得進(jìn)展

碳化硅晶須是一種具有多種優(yōu)良性能的功能材料,采用正硅酸乙酯和酚醛樹脂形成的碳硅干凝膠進(jìn)行碳熱還原,通??傻玫教蓟杈ы?。文章稱,中國(guó)科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所煤轉(zhuǎn)化國(guó)家重...

日期 2015-05-20   

北京科技計(jì)劃項(xiàng)目助力打通國(guó)產(chǎn)化碳化硅及產(chǎn)業(yè)鏈

北京科技計(jì)劃項(xiàng)目助力打通國(guó)產(chǎn)化碳化硅及產(chǎn)業(yè)鏈
北京科技計(jì)劃項(xiàng)目助力打通國(guó)產(chǎn)化碳化硅及產(chǎn)業(yè)鏈
北京科技計(jì)劃項(xiàng)目助力打通國(guó)產(chǎn)化碳化硅及產(chǎn)業(yè)鏈

由國(guó)家電網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院牽頭,中科院半導(dǎo)體所、中科院物理所、北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司等聯(lián)合承擔(dān)的北京市科委重大項(xiàng)目“1200V/20A碳化硅二極管研發(fā)”于2015...

日期 2015-05-19   

節(jié)能新生力:3英寸半絕緣碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)

《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》中的新一代信息功能材料、器件、軍工配套關(guān)鍵材料及工程化等,都與第三代半導(dǎo)體——碳化硅晶體有關(guān),《規(guī)劃綱要》將“高效節(jié)能、長(zhǎng)壽命的半導(dǎo)...

日期 2015-04-08   

粉末冶金制造鋁碳化硅復(fù)合材料受研磨時(shí)間影響研究

粉末冶金制造鋁碳化硅復(fù)合材料受研磨時(shí)間影響研究
粉末冶金制造鋁碳化硅復(fù)合材料受研磨時(shí)間影響研究
粉末冶金制造鋁碳化硅復(fù)合材料受研磨時(shí)間影響研究

引言機(jī)械合金化(MA)作為一種粉末加工工藝,粉末顆粒要經(jīng)過反復(fù)的形變、碎裂和鍛接。MA廣泛應(yīng)用于材料合成:類似金屬間化合物,過飽和固溶體,或者穩(wěn)定/不穩(wěn)定硼化物、碳化物...

日期 2015-02-02   

一種多孔金剛石或多孔立方碳化硅自支撐膜的制備方法

申請(qǐng)?zhí)?201310205716.0申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院金屬研究所摘要:本發(fā)明公開了一種多孔金剛石或多孔立方碳化硅自支撐膜的制備方法,包括:提供基體材料,并對(duì)基體材料表面...

日期 2014-12-13   

采用旋轉(zhuǎn)綠碳化硅磨棒修整樹脂基圓弧形金剛石砂輪的方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01410280620.5申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)摘要:采用旋轉(zhuǎn)綠碳化硅磨棒修整樹脂基圓弧形金剛石砂輪的方法,屬于樹脂基圓弧形砂輪的加工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明是為了解...

日期 2014-10-09   
新技術(shù)突破改善碳化硅功率器件

新技術(shù)突破改善碳化硅功率器件

日本東京大學(xué)近日研發(fā)新型碳化硅絕緣薄膜生長(zhǎng)技術(shù),極大地改善了碳化硅功率器件的性能。高性能功率器件常用在高壓、大電...

日期 2014-08-11   
美科學(xué)家研發(fā)新型碳化硅二極管

美科學(xué)家研發(fā)新型碳化硅二極管

美國(guó)馬薩諸塞州的Allegro公司近日發(fā)布最新一代FMCA系列碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD),又稱碳化...

日期 2014-07-24   
德科學(xué)家研發(fā)新型碳化硅電力設(shè)備

德科學(xué)家研發(fā)新型碳化硅電力設(shè)備

德國(guó)FraunhoferISE研究所近日成功研發(fā)出一種10千伏阻斷電壓的新型碳化硅設(shè)備,裝配在DC-DC轉(zhuǎn)換器中...

日期 2014-06-24   
美科學(xué)家研發(fā)碳化硅高溫集成電路晶片

美科學(xué)家研發(fā)碳化硅高溫集成電路晶片

美國(guó)阿肯色大學(xué)近日研發(fā)碳化硅高溫集成電路,該電路晶片在350℃左右的高溫下仍能正常工作,大大改善了電力電子設(shè)備、...

日期 2014-06-18   
新型碳化硅功率半導(dǎo)體在混動(dòng)力汽車中的應(yīng)用

新型碳化硅功率半導(dǎo)體在混動(dòng)力汽車中的應(yīng)用

日本豐田汽車公司近日宣布,與Denso公司聯(lián)合研發(fā)了一項(xiàng)新型碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),用于汽車功率控制單元(PCUs...

日期 2014-05-22   

中國(guó)實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件批量生產(chǎn)

中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S...

日期 2014-01-22   
碳化硅逆襲 超硬材料磨拋領(lǐng)域或受挑戰(zhàn)

碳化硅逆襲 超硬材料磨拋領(lǐng)域或受挑戰(zhàn)

立方碳化硅又名β-Sic,屬立方晶系(金剛石晶型)。β-Sic的莫氏硬度為9.25--9.6,與金剛石接近,光潔...

日期 2013-12-07   

警惕金剛線重蹈碳化硅覆轍

太陽能硅片線切割領(lǐng)域,碳化硅微粉市場(chǎng)從幾年前的火爆到如今的慘淡可謂冰火兩重天。遭遇如此之悲境其原因在于外部光伏環(huán)境趨緊和內(nèi)部碳化硅行業(yè)過盛綜合所致。外部,受歐美等對(duì)中國(guó)...

日期 2013-08-01   
成本減半 CREE推出第二代碳化硅產(chǎn)品

成本減半 CREE推出第二代碳化硅產(chǎn)品

國(guó)際領(lǐng)先的照明廠商科銳(CREE)宣布推出了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品。新產(chǎn)品能夠在更小的尺寸上提供...

日期 2013-03-25   

高性能碳化硅陶瓷材料研發(fā)中心在豫揭牌

5月10日上午,平煤神馬集團(tuán)董事長(zhǎng)、黨委書記梁鐵山和中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所黨委書記王龍根,一起為高性能陶瓷材料應(yīng)用技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。該中心由易成新材料公司和中科...

日期 2012-05-29   

鐵超料中回收碳化硅微粉的方法

申請(qǐng)人:平頂山煤業(yè)(集團(tuán))易成碳化硅制品有限公司專利號(hào):CN101811086A本發(fā)明公開了一種從鐵超料中回收碳化硅微粉的方法,包括如下步驟:(1)

日期 2011-09-24   

WTO正式宣布中國(guó)限制鋁土、碳化硅等9種原材料出口違規(guī)

《經(jīng)濟(jì)參考報(bào)》記者從世界貿(mào)易組織(WTO)網(wǎng)站獲悉,WTO爭(zhēng)端解決機(jī)構(gòu)于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5日向WTO成員國(guó)散發(fā)了關(guān)于歐盟和美國(guó)訴中國(guó)限制九種原材料出口一案的專家組報(bào)告,報(bào)告稱中...

日期 2011-07-06   

報(bào)道稱WTO已裁定中國(guó)碳化硅、鋁土等9種原材料出口限制違規(guī)

WTO或已裁定中國(guó)9種原材料出口限制違規(guī)歐盟貿(mào)易委員施壓中國(guó)稀土出口配額政策本報(bào)從權(quán)威人士處提前獲知,世界貿(mào)易組織(WTO)已裁定,中國(guó)針對(duì)9種原材料的出口限制政策違反...

日期 2011-06-16   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)暨2023金剛石產(chǎn)業(yè)大會(huì)

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2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)在鄭州國(guó)際會(huì)展中心隆重開幕。本次展覽會(huì)由中國(guó)機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國(guó)機(jī)精工股份有限公司、中國(guó)機(jī)械國(guó)際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國(guó)磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國(guó)內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。